时间：2025/12/25 13:38:37
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RB501SM-30FHT2R是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），采用小型表面贴装封装，适用于高密度、高性能的电源管理电路。该器件以其低正向电压降和快速开关特性而著称，广泛应用于DC-DC转换器、整流电路、续流二极管以及反向电压保护等场景。其封装形式为SOD-123FL，具有较小的占板面积和良好的热性能，适合便携式电子设备和空间受限的应用环境。RB501SM-30FHT2R的“-30”表示其最大重复反向电压为30V，而“SM”代表其为肖特基二极管系列，具备较低的导通损耗和较高的效率。该器件符合AEC-Q101车规级可靠性标准，因此也适用于汽车电子系统中的电源模块，如LED驱动、车载信息娱乐系统和车身控制单元等。此外，该型号支持无铅焊接工艺，并满足RoHS环保要求，体现了现代电子元器件对环境友好性的重视。由于其优异的电气特性和紧凑的封装设计，RB501SM-30FHT2R在消费类电子产品、工业控制和通信设备中均表现出良好的适应性与稳定性。
类型：肖特基势垒二极管
最大重复反向电压（VRRM）：30V
最大平均正向整流电流（IF(AV)）：500mA
峰值正向浪涌电流（IFSM）：8A
最大正向电压（VF）：0.52V @ 200mA, 25°C
最大反向电流（IR）：100μA @ 30V, 25°C
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOD-123FL
安装类型：表面贴装（SMD）
引脚数：2
极性：单个二极管
RB501SM-30FHT2R的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构，这种结构利用金属与半导体之间的势垒形成整流效应，相较于传统的PN结二极管，显著降低了正向导通电压（VF），从而有效减少功率损耗并提高整体系统效率。在典型工作条件下（200mA，25°C），其最大正向电压仅为0.52V，这意味着在相同电流下，其功耗远低于普通硅二极管（通常VF在0.7V以上）。这一特性使其特别适用于电池供电设备或对能效要求较高的应用场合，例如移动电源、智能手机、可穿戴设备等，有助于延长电池续航时间。同时，由于肖特基二极管没有少数载流子存储效应，其反向恢复时间极短，几乎可以忽略不计，这使得它在高频开关电源（如DC-DC转换器）中表现出色，能够有效抑制开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升系统的稳定性和可靠性。
该器件的最大平均正向整流电流为500mA，峰值浪涌电流可达8A，具备较强的瞬态电流承受能力，能够在负载突变或启动过程中提供可靠的电流路径。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保了在极端环境温度下的正常运行，尤其适合汽车电子等高温应用场景。SOD-123FL封装不仅体积小巧（典型尺寸约为2.0mm x 1.25mm x 1.0mm），还优化了散热路径，提升了热传导效率，有助于维持芯片在高负载下的低温运行。此外，该型号通过了AEC-Q101认证，表明其在机械强度、热循环、湿度敏感度等方面均达到汽车行业严苛的质量标准，可用于发动机舱外的各类车载电子模块。产品还符合RoHS指令和无卤素要求，支持现代绿色制造流程。
RB501SM-30FHT2R因其低正向压降、快速响应和小型化封装，被广泛应用于多种电源相关电路中。在DC-DC降压或升压转换器中，常作为同步整流的续流二极管使用，替代传统快恢复二极管以降低导通损耗，提升转换效率。在便携式电子设备如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机中，该器件用于电池充放电回路的防反接保护，防止因电池误插或外部电源反接导致的电路损坏。在LED照明驱动电路中，它可作为箝位二极管，吸收电感产生的反向电动势，保护开关管免受高压冲击。此外，在USB电源接口、AC适配器次级侧整流、待机电源模块以及传感器供电电路中，RB501SM-30FHT2R也能发挥其高效整流和低漏电流的优势。在汽车电子领域，该器件常见于车载充电器（OBC）、车身控制模块（BCM）、仪表盘显示系统和车载导航设备中，承担电源整流与反向隔离功能。工业控制设备如PLC模块、智能电表和小型电机驱动器也常采用此类二极管来实现高效的能量传递与电路保护。得益于其高可靠性和小型封装，RB501SM-30FHT2R同样适用于高密度PCB布局和自动化贴片生产，是现代电子产品中不可或缺的基础元件之一。
RB501VM-30
