时间：2025/8/25 5:21:05
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HGTH20N40C1D是一款高电压、大电流能力的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由安森美半导体（onsemi）生产。这款器件设计用于高效率、高可靠性的电源转换应用，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器和逆变器等。HGTH20N40C1D采用TO-247封装形式，具有良好的热管理和电气性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：400V
连续漏极电流（Id）：20A
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V ~ 4V
导通电阻（Rds(on)）：0.19Ω（最大）
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-247
HGTH20N40C1D功率MOSFET具备多项优良的电气和热性能特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，该器件的高漏源电压（400V）使其能够适应高电压输入的开关电源设计，确保系统在高压环境下稳定运行。其次，其连续漏极电流能力达到20A，适合处理较大的负载电流，适用于高功率密度的转换器设计。
该MOSFET的导通电阻（Rds(on)）最大为0.19Ω，能够在导通状态下减少功率损耗，提高整体系统的效率。此外，该器件的栅极阈值电压在2V至4V之间，确保了良好的栅极驱动兼容性，可与常见的PWM控制器或微处理器直接配合使用。
在热管理方面，TO-247封装提供了良好的散热性能，有助于在高负载条件下维持较低的结温，从而提高器件的可靠性和寿命。同时，该器件具有较强的抗雪崩能力，能够在突发的电压或电流冲击下保持稳定运行，适用于工业级和汽车电子等对可靠性要求较高的应用环境。
HGTH20N40C1D广泛应用于各类高电压、高功率的电力电子系统中。其主要应用场景包括开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、AC-DC整流器、逆变器、UPS不间断电源、工业电机驱动器以及太阳能逆变器等。此外，由于其具备良好的抗冲击能力和高温工作性能，该器件也常用于汽车电子、电动工具和充电桩等高可靠性要求的场合。
STP20N40, IRF740, FQA20N40, FDPF20N40
