时间:2025/11/8 3:48:04
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RB481K T2R是一款由ROHM(罗姆)半导体公司生产的表面贴装肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),采用小型化SOD-123FL封装,适用于高密度、高效率的电源电路设计。该器件以其低正向导通压降和快速开关特性而著称,广泛应用于便携式电子设备、DC-DC转换器、逆变电路以及信号整流等场景。RB481K T2R的最大重复反向电压为30V,最大平均整流电流为200mA,能够有效降低系统功耗并提升整体能效。其紧凑的封装形式不仅节省PCB空间,还具备良好的热稳定性和机械可靠性,适合自动化贴片生产工艺。该二极管符合RoHS环保标准,并通过了无卤素认证,满足现代电子产品对环境友好型元器件的要求。此外,RB481K T2R具有较低的反向漏电流和结电容,有助于减少高频工作下的能量损耗,提高电源系统的响应速度与稳定性。由于其优异的电气性能和可靠的质量控制,RB481K T2R在消费类电子、工业控制、通信模块及汽车电子等领域得到了广泛应用。
型号:RB481K T2R
制造商:ROHM Semiconductor
封装类型:SOD-123FL
二极管配置:单只二极管
最大重复反向电压(VRRM):30V
最大平均整流电流(IO):200mA
峰值正向浪涌电流(IFSM):5A(8.3ms半正弦波)
最大正向电压降(VF):480mV @ 100mA, 25°C
最大反向漏电流(IR):50μA @ 30V, 25°C;500μA @ 30V, 125°C
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +150°C
热阻抗(RθJA):约450°C/W(典型值)
结电容(Cj):约25pF @ VR=0V, f=1MHz
引脚数:2
安装方式:表面贴装(SMD)
湿度敏感等级(MSL):1级(≤30°C/85%RH,无限时间)
RB481K T2R的核心优势在于其采用肖特基势垒结构,实现了极低的正向导通压降,典型值仅为480mV,在100mA电流下即可显著降低功率损耗,从而提升电源转换效率。这种低VF特性特别适用于电池供电设备或对能耗敏感的应用中,如智能手机、可穿戴设备和物联网终端,有助于延长续航时间。同时,该器件具备快速恢复能力,反向恢复时间极短,几乎不存在少数载流子存储效应,因此在高频开关应用中表现出色,能够有效抑制电压尖峰和电磁干扰,增强系统稳定性。
RB481K T2R采用SOD-123FL超小型封装,尺寸仅为2.0mm x 1.25mm x 1.0mm(典型值),极大节省了印刷电路板的空间,适应当前电子产品小型化、轻薄化的发展趋势。该封装还优化了散热路径,提升了热传导效率,使得器件即使在较高环境温度下也能保持可靠运行。此外,其内部结构经过精密设计,确保了良好的机械强度和焊接可靠性,适用于回流焊和波峰焊工艺,兼容主流SMT生产线。
该二极管具有出色的温度稳定性,随着结温升高,反向漏电流虽有所增加,但在125°C时仍能控制在500μA以内,保证了高温工况下的正常工作。其宽泛的工作结温范围(-55°C至+150°C)使其不仅可用于常规消费电子,也可部署于工业级甚至部分车载环境中。ROHM对RB481K T2R实施严格的品质管控,产品一致性高,批次稳定性好,支持长期批量供货需求。
RB481K T2R凭借其低正向压降、小封装和高可靠性,被广泛用于多种电源管理与信号处理电路中。在DC-DC转换器中,它常作为同步整流旁路二极管或续流二极管使用,帮助提高转换效率并减少发热。在低压差线性稳压器(LDO)输出端,可用于防止反向电流流动,保护电源芯片安全。在电池充放电管理系统中,该器件可实现防倒灌功能,避免电池反向供电导致的能量浪费或损坏风险。
此外,RB481K T2R也适用于各种信号整流与钳位电路,例如在音频信号处理、传感器接口和微弱信号检测中,利用其快速响应特性进行精确的信号整形。在便携式医疗设备、智能家居控制模块和无线通信单元中,因其低功耗和高集成度特点,成为理想的整流与隔离元件。在LED驱动电路中,它可以作为防反接保护二极管,防止因电源极性接反而造成LED烧毁。
由于其SOD-123FL封装具有优良的高频特性,RB481K T2R还可用于射频信号检波或高频脉冲整流场合。在汽车电子系统中,如车载信息娱乐系统、仪表盘电源模块或车身控制单元中,该器件能够在较宽温度范围内稳定工作,满足车规级应用的部分要求。总之,RB481K T2R是一款通用性强、性价比高的表面贴装肖特基二极管,适用于各类对空间和效率有严格要求的现代电子系统。
RB481K-TR|SS14|BAT54C|MBR0520|PMDS3