时间：2025/8/14 16:24:03
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RB411D_R1_00001是一种表面贴装的双极性晶体管（BJT），适用于高频和低噪声放大器应用。该器件采用先进的硅外延平面工艺制造，具有良好的高频特性和低失真性能，适合用于射频（RF）电路和模拟电路中的信号放大。
晶体管类型：NPN
最大集电极电流：100 mA
最大集电极-发射极电压：50 V
最大基极电流：5 mA
最大耗散功率：300 mW
过渡频率：250 MHz
电流增益带宽积：250 MHz
噪声系数：4 dB
封装类型：SOT-23
RB411D_R1_00001晶体管具有优异的高频响应和低噪声系数，适合用于高保真信号放大。其高过渡频率（ft）确保了在高频应用中的稳定增益，同时低噪声系数有助于提升接收机前端的信号质量。此外，该器件的封装设计支持表面贴装工艺，提高了生产效率和空间利用率。
在可靠性方面，RB411D_R1_00001采用高质量的硅材料和先进的制造工艺，具有良好的热稳定性和长期工作稳定性。该晶体管的增益带宽积较高，适用于宽频带放大器设计。其低失真特性使其在音频放大和射频信号处理中表现出色。
RB411D_R1_00001常用于射频放大器、低噪声前置放大器、音频放大器、模拟信号处理电路以及各类便携式电子设备中的信号增强模块。其高频性能也使其适用于无线通信系统中的信号链设计。
2N3904, BC847, 2SC3355
