时间：2025/12/25 12:14:27
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RB160VAM-60是一款由罗姆（ROHM）公司生产的表面贴装型肖特基势垒二极管（SBD），采用先进的平面结构和高可靠性工艺制造，专为高频开关电源、DC-DC转换器及整流电路等应用而设计。该器件封装在紧凑的SMA（DO-214AC）封装中，具有低正向电压降、快速恢复时间和优良的热稳定性等特点，适合用于便携式电子设备、消费类电子产品以及工业控制领域中的高效能电源管理模块。其额定平均正向整流电流为1.0A，最大反向重复峰值电压可达60V，能够在高温环境下稳定工作，结温范围通常为-55°C至+150°C，确保了在严苛条件下的可靠运行。此外，RB160VAM-60符合RoHS环保标准，无卤素且不含铅，适用于现代绿色电子产品制造流程。这款二极管因其出色的电气性能和机械坚固性，在通信设备、笔记本电脑适配器、LED驱动电源等领域得到了广泛应用。
作为一款高性能的功率整流器件，RB160VAM-60通过优化金属-半导体接触界面降低了导通损耗，从而提升了整体系统效率。其低VF特性有助于减少发热，提高能源利用率，特别适用于对功耗敏感的应用场景。同时，由于采用了SMA封装，它具备良好的散热能力，并支持自动化贴片生产工艺，便于大规模生产组装。在实际使用过程中，工程师需注意合理布局PCB走线以增强散热效果，并避免长时间超负荷运行以延长器件寿命。总体而言，RB160VAM-60是一款集高效、节能、小型化与环保于一体的先进肖特基二极管，是现代电源设计中的理想选择之一。
型号：RB160VAM-60
类型：肖特基势垒二极管
封装/包装：SMA（DO-214AC）
是否无铅：是
是否符合RoHS：是
最大重复峰值反向电压（VRRM）：60V
最大直流阻断电压（VR）：60V
最大均方根电压（VRMS）：42V
最大平均整流电流（IO）：1.0A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A（8.3ms单半正弦波）
最大正向电压（VF）：0.57V @ 1.0A, 25°C
最大反向电流（IR）：0.1mA @ 60V, 25°C；10mA @ 60V, 125°C
工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C ~ +150°C
热阻抗（RθJA）：约150°C/W（典型值，依PCB设计而定）
电容（CT）：约80pF @ 4V, 1MHz
RB160VAM-60的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种结构利用金属与N型半导体之间的势垒实现单向导电性，相较于传统的PN结二极管，显著降低了正向导通压降（VF），从而大幅减少了导通状态下的功率损耗。在1A电流下，其典型VF仅为0.57V，远低于普通硅二极管的0.7V以上水平，这意味着更低的能量转化为热量，提高了电源系统的整体转换效率。这一特性使其非常适合应用于高频率开关电源中，如DC-DC变换器、同步整流替代、电池充电管理电路等，能够有效降低温升并提升能量利用率。此外，由于肖特基二极管本身不具备少数载流子储存效应，因此其反向恢复时间极短，几乎可以忽略不计，极大地抑制了开关过程中的反向恢复电流尖峰和电磁干扰（EMI），有助于简化滤波电路设计并提升系统稳定性。
另一个关键特性是其优异的热性能和可靠性。RB160VAM-60的结温范围可达-55°C至+150°C，表明其可在极端环境温度条件下正常工作，适用于汽车电子、工业控制等对温度适应性要求较高的场合。其SMA封装不仅体积小巧（约4.3mm x 2.8mm x 2.3mm），还具备良好的热传导路径，配合合理的PCB铜箔面积设计，可有效将内部产生的热量传导至外部环境，防止局部过热导致失效。器件经过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温存储（HTSL）和温度循环试验，确保长期使用的稳定性和耐用性。此外，产品符合国际环保标准，不含铅和卤素，满足现代电子产品对绿色制造的要求，适用于出口型产品认证。综合来看，RB160VAM-60凭借低VF、快恢复、高可靠性与环保兼容性，成为众多电源设计工程师首选的整流解决方案之一。
广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电池充电电路、消费类电子产品、工业电源模块、LED照明驱动、通信设备电源单元、便携式设备电源管理等需要高效整流和低功耗特性的场合。
RB160L-60、SB160、1N5819WS、SS16、MBR160
