时间：2025/8/25 6:35:39
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FQD9N25TM_F080是一款由富士通（Fujitsu）推出的功率MOSFET器件，采用先进的功率半导体技术制造。这款MOSFET适用于高效率、高功率密度的电源转换应用，例如电源供应器、DC-DC转换器、电机控制、负载开关以及电池管理系统等。该器件采用了Trench MOSFET结构，以降低导通电阻（Rds(on)）并提高整体效率。FQD9N25TM_F080封装为表面贴装型（SOP或LFPAK等），便于自动化装配并提高散热性能，适用于工业级和汽车级应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：100A
最大漏源电压（Vds）：250V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：≤8.0mΩ（典型值取决于Vgs）
功率耗散（Pd）：120W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：LFPAK56（5x6mm）或类似高性能表面贴装封装
FQD9N25TM_F080具有多项优异的电气和热性能，首先其导通电阻非常低（通常低于8毫欧），这显著降低了导通损耗，从而提高整体电源转换效率。其次，该器件采用先进的沟槽（Trench）MOSFET结构，提高了单位面积内的载流能力，从而实现更高的功率密度。
此外，FQD9N25TM_F080具备良好的热稳定性，其封装设计优化了散热性能，确保在高负载条件下仍能保持较低的工作温度。这种表面贴装封装（如LFPAK56）不仅提高了机械强度，还增强了焊接可靠性和抗热疲劳能力，非常适合严苛的工业和汽车应用环境。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（通常支持4.5V至20V），适用于多种驱动器IC的直接驱动，从而简化了电路设计。同时，该器件具有较高的dv/dt抗扰能力，有助于减少开关过程中的电磁干扰（EMI）。
在可靠性方面，FQD9N25TM_F080通过了严格的AEC-Q101汽车级认证，适用于车载电子系统，如电池管理系统（BMS）、电动助力转向系统（EPS）、车载充电机（OBC）等。其高雪崩能量耐受能力也增强了器件在极端工况下的稳定性。
FQD9N25TM_F080广泛应用于各种高功率电子系统，包括工业电源、服务器电源、电信设备电源、DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关以及电池管理系统（BMS）等。由于其优异的导通特性和高可靠性，它特别适用于需要高效率和高稳定性的场合，例如新能源汽车（如电动和混合动力汽车）的电源管理系统、太阳能逆变器、储能系统以及智能电网设备。
FQPF9N25C、IPB09N25N3、IRF9540N、SiHF9N25E、TK9A50W
