型号：FEH09N90E
　　制造商：onsemi
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：900 V
　　最大栅源电压（VGS）：±30 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：9 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：36 A
　　导通电阻（RDS(on)）@10V VGS：1.1 Ω（最大值）
　　导通电阻（RDS(on)）测试条件：VGS = 10 V
　　栅极电荷（Qg）@10V：87 nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：1200 pF @ 25°C
　　反向恢复时间（trr）：快恢复体二极管
　　阈值电压（Vth）：4.0 V（典型值）
　　功耗（PD）：125 W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220

FEH09N90E采用了onsemi独有的SuperFET? III技术，这是一种基于电荷平衡原理的高压MOSFET制造工艺，能够在不牺牲击穿电压的前提下显著降低导通电阻（RDS(on)），从而提升整体能效。这种技术通过在漂移区引入精确掺杂的P型柱结构与N型外延层形成电荷补偿机制，在关断状态下有效支撑高电压，同时在导通状态下减少电阻路径中的载流子散射，使得单位面积下的导通损耗大幅下降。得益于这一先进工艺，FEH09N90E在900V耐压等级下实现了仅1.1Ω的最大RDS(on)，这在同类产品中表现出色，有助于减小系统温升并提高功率密度。
　　该器件还具备出色的动态性能，包括较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），使其在高频开关应用中具有更快的开关速度和更低的驱动损耗。这对于现代高效电源拓扑如LLC谐振转换器、有源钳位反激（Active Clamp Flyback）和CRM/DCM PFC电路尤为重要。此外，FEH09N90E内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr），可减少换流过程中的能量损耗和电压尖峰，提升系统EMI表现。
　　从可靠性角度来看，FEH09N90E经过严格的质量认证和老化测试，具备优异的抗雪崩能力（Avalanche Ruggedness），可在过压或瞬态冲击条件下安全运行。其栅氧化层设计支持±30V的栅源电压范围，增强了对异常驱动信号的容忍度。器件的工作结温可达+150°C，满足严苛工业环境下的长期稳定运行需求。结合TO-220封装的良好热传导特性，用户可通过外接散热器进一步优化热管理方案，延长系统寿命。

FEH09N90E广泛应用于各类需要高电压隔离与高效能量转换的电力电子系统中。在离线式开关电源（SMPS）领域，它常用于反激式、正激式或半桥拓扑结构中作为主开关管，适用于适配器、充电器、服务器电源等设备，尤其是在待机功耗和满载效率要求较高的能源标准（如DoE VI、Energy Star）下表现优异。在LED照明驱动电源中，FEH09N90E可用于非隔离或隔离型恒流驱动电路，提供稳定的输出电流并支持宽输入电压范围（如全电压85–265V AC）。
　　在可再生能源系统中，该器件适用于小型光伏微逆变器或直流优化器，参与DC-AC或DC-DC转换环节，帮助实现模块级MPPT（最大功率点跟踪）功能。此外，在电机驱动应用中，特别是风机、水泵等中小功率家电或工业控制场合，FEH09N90E可用于构建单相逆变桥臂或辅助电源模块，实现节能调速控制。
　　由于其高耐压和良好热性能，FEH09N90E也适合用于工业电源、智能电表、UPS不间断电源以及电信整流模块等对可靠性和寿命要求较高的场景。无论是连续运行还是间歇负载工况，该器件均能提供稳定的电气性能和较长的使用寿命，是中高端功率应用中的理想选择之一。

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　　 "FCH09N90E",
　　 "FDP09N90E",
　　 "STL9N90F7",
　　 "IRFPG50"
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