时间：2025/6/29 10:52:49
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VJ0402A121FXQPW1BC 是一款由 Vishay 提供的双路 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管。该器件采用小型 QFN 封装，适用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。其主要特点是具有低导通电阻、高击穿电压以及出色的热性能，使其在功率转换、负载切换等领域表现出色。
封装：QFN-8
最大漏源电压(V_DS)：30V
最大栅源电压(V_GS)：±20V
连续漏极电流(I_D)：6.8A
导通电阻(R_DS(on))：12mΩ
功耗(P_TOT)：1.75W
工作温度范围(T_A)：-55°C 至 +175°C
栅极电荷(Q_G)：9nC
VJ0402A121FXQPW1BC 具有以下特点：
1. 超低导通电阻（R_DS(on)），能够有效减少功率损耗并提高效率。
2. 高击穿电压 (V_DS)，确保在较高电压应用中可靠运行。
3. 快速开关速度，得益于较小的栅极电荷 (Q_G)，从而降低开关损耗。
4. 热增强型 QFN 封装设计，提供卓越的散热性能。
5. 工作温度范围宽广，适合各种严苛环境下的应用。
6. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电池管理系统中的负载切换控制。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 各类保护电路，如过流保护和短路保护。
5. 通信设备中的信号切换及功率管理模块。
6. 汽车电子系统中的电源管理和驱动控制。
VJ0402A121FXQPW1B, SiA443DJ, FDS6680
