PJ9350L30SE是一款高性能的功率MOSFET,采用先进的半导体制造工艺设计。该器件主要应用于需要高效功率转换和低导通电阻的场景。其优化的结构使其具备较低的栅极电荷和输出电容,从而提高了开关性能和整体效率。
该型号属于P沟道增强型MOSFET,适合于负载开关、电源管理、DC-DC转换器、LED驱动器等多种应用领域。其出色的热性能和电气特性确保了在各种复杂环境下的稳定运行。
类型:P沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):-12A
导通电阻(Rds(on)):60mΩ(典型值,在Vgs=-4.5V时)
栅极电荷(Qg):11nC(典型值)
总电容(Ciss):1100pF(典型值)
工作温度范围:-55°C至+150°C
PJ9350L30SE具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于降低功耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能,得益于其低栅极电荷和优化的内部结构。
3. 良好的热稳定性,能够承受高结温的工作条件。
4. 小型封装设计,节省PCB空间,便于在紧凑型设备中使用。
5. 高可靠性,满足工业级和消费级应用需求。
6. 符合RoHS标准,环保且支持无铅焊接工艺。
PJ9350L30SE适用于多种电力电子应用场合,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和降压电路。
2. 各类负载开关,用于保护电路免受过载或短路影响。
3. DC-DC转换器的核心功率开关元件。
4. LED驱动器中的电流调节和控制。
5. 电池管理系统(BMS)中的充放电路径控制。
6. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输控制。
PJ9350L30S,PJ9351L30SE,IRF7413