时间：2025/11/8 8:48:16
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R6047ENZ1C9是一款由罗姆半导体（ROHM Semiconductor）推出的N沟道功率MOSFET，采用先进的Trench栅极工艺技术制造，专为高效率开关应用而设计。该器件封装在小型化且具有良好热性能的表面贴装封装中，适用于空间受限但要求高性能的电子设备。R6047ENZ1C9具有低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度和优良的雪崩耐受能力，使其在电源转换、DC-DC变换器、电机驱动以及负载开关等应用中表现出色。其额定电压为60V，最大连续漏极电流可达47A，适合用于中等功率级别的电路系统。该MOSFET还具备良好的抗瞬态过载能力，并符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺。得益于ROHM在功率器件领域的长期技术积累，R6047ENZ1C9在可靠性、热稳定性和电气性能方面均达到业界先进水平，广泛应用于工业控制、消费类电子产品、通信设备及便携式电源管理系统中。
型号：R6047ENZ1C9
制造商：ROHM Semiconductor
器件类型：N沟道MOSFET
漏源电压VDS：60V
栅源电压VGS：±20V
连续漏极电流ID：47A @ TC=25°C
脉冲漏极电流IDM：188A
导通电阻RDS(on)：max 9.9mΩ @ VGS=10V, min 47A
导通电阻RDS(on)：max 13mΩ @ VGS=4.5V
阈值电压Vth：typ 2.0V, range 1.6V to 2.4V
输入电容Ciss：typ 3430pF @ VDS=30V
输出电容Coss：typ 970pF @ VDS=30V
反向恢复时间trr：typ 34ns
二极管正向电压VSD：1.2V @ IS=47A
工作结温范围Tj：-55°C to +150°C
封装形式：TO-252 (DPAK)
安装类型：表面贴装型
R6047ENZ1C9采用ROHM独有的Trench结构MOSFET技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其最大RDS(on)在VGS=10V条件下仅为9.9mΩ，在同类60V N沟道MOSFET中处于领先水平，有效降低了导通损耗，提高了整体能效。该器件在VGS=4.5V时仍能保持较低的导通电阻（13mΩ），表明其具备良好的低电压驱动能力，适用于由逻辑电平信号直接驱动的应用场景，如由微控制器或PWM控制器直接控制的开关电路。
该MOSFET具有较高的电流承载能力，连续漏极电流可达47A，同时支持高达188A的脉冲电流，使其能够应对瞬态大电流负载，例如电机启动或电容充电过程中的浪涌电流。其栅极电荷Qg较低，典型值约为60nC（具体数值需参考官方数据手册），有助于减少驱动损耗并提升高频开关效率，适用于工作频率较高的DC-DC转换器拓扑，如同步整流降压变换器。
器件内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr约34ns），可降低在反向恢复过程中产生的开关损耗和电磁干扰（EMI），从而提高系统稳定性。此外，该MOSFET经过优化设计，具备较强的雪崩能量耐受能力，能够在意外过压或感性负载断开时提供一定的自我保护能力，增强了系统的鲁棒性。
TO-252（DPAK）封装不仅体积小巧，便于自动化贴片生产，而且具有良好的散热性能，通过PCB上的铜箔即可实现有效热传导，无需额外添加复杂的散热结构。该器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准（如适用），可用于车载电源系统，同时也满足工业级应用对温度和寿命的要求。
R6047ENZ1C9广泛应用于多种需要高效功率开关的场合。在电源管理领域，常用于同步整流式DC-DC降压变换器中作为主开关或同步整流开关，尤其适用于将12V或24V输入转换为低电压大电流输出的场景，如服务器主板供电、FPGA或CPU核心电源模块。由于其低导通电阻和高电流能力，也适用于大电流负载开关电路，如热插拔控制器、电池供电系统的电源切换以及LED驱动电路中的通断控制。
在电机驱动应用中，该MOSFET可用于H桥或半桥拓扑结构中，驱动直流有刷电机或步进电机，常见于家用电器、电动工具和工业自动化设备中。其快速开关特性和低损耗有助于提升电机控制精度和能效表现。
此外，R6047ENZ1C9还可用于逆变器、UPS不间断电源、太阳能充电控制器等功率转换设备中，承担主功率通路的开关功能。在通信设备中，用于板载电源模块的二次侧整流或隔离式电源的同步整流环节，以替代传统肖特基二极管，显著降低导通压降和发热。
由于其封装紧凑且支持表面贴装，特别适合高密度PCB布局设计，广泛应用于工业控制模块、嵌入式系统、网络设备和消费类电子产品中。对于需要兼顾性能与成本的中等功率应用，R6047ENZ1C9是一个可靠且高效的解决方案。
RJK0647DPB
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AOZ5237EQI
