R6030435ESYA 时间：2025/8/7 2:55:24 阅读：12

R6030435ESYA 是一款由Renesas（瑞萨电子）推出的功率MOSFET器件，采用先进的沟槽栅极和场截止技术，适用于高效率功率转换应用。该器件具有低导通电阻、优异的开关性能和热稳定性，广泛用于工业电源、电机控制、DC-DC转换器以及汽车电子系统中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：60A
　　最大漏源电压：650V
　　导通电阻（Rds(on)）：30mΩ
　　栅极电压范围：±20V
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-247
　　功率耗散：200W

特性

R6030435ESYA 的主要特性包括低导通电阻（Rds(on)）为30mΩ，显著降低了导通损耗，提高系统效率。
　　该器件采用了瑞萨先进的沟槽栅极技术，优化了开关性能，具有快速开关能力和较低的开关损耗。
　　其高耐压能力（650V）使其适用于高压功率转换器和工业电机驱动应用。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性，工作温度范围广（-55°C至175°C），适用于高温环境下的稳定运行。
　　封装形式为TO-247，便于散热设计和安装，提高了系统的可靠性和散热效率。
　　此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅封装，符合现代电子产品环保要求。

应用

R6030435ESYA 主要应用于工业电源、DC-DC转换器、UPS系统、电机控制、变频器、光伏逆变器、电动车充电设备以及工业自动化控制系统。
　　在电机控制和伺服系统中，该器件提供高效能和稳定运行，支持高频率开关操作，有助于减小滤波元件尺寸。
　　在DC-DC转换器和开关电源中，R6030435ESYA 的低导通电阻和快速开关特性可提升整体能效，降低系统温升。
　　此外，其优异的热性能也适用于高功率密度的电源模块设计，满足苛刻环境下的使用需求。