SM4365NAKPC-TRG 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高系统效率并降低功耗。
此器件为 N 沟道增强型 MOSFET,封装形式为 TO-263-3L(D2PAK),适合高电流和高电压应用场景。其设计注重散热性能,确保在严苛的工作条件下仍能保持稳定运行。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:43A
导通电阻:4.5mΩ
栅极电荷:71nC
开关时间:t_on=86ns,t_off=29ns
结温范围:-55℃至175℃
1. 超低导通电阻,减少功率损耗,提高整体效率。
2. 高电流承载能力,适用于大功率应用。
3. 快速开关速度,降低开关损耗。
4. 强大的热稳定性,支持高温环境下的可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
6. 具备良好的 ESD 保护能力,增强器件可靠性。
7. 封装形式紧凑,便于 PCB 布局与安装。
1. 开关电源(Switching Power Supplies)
2. DC/DC 转换器
3. 电机驱动及控制
4. 工业自动化设备中的负载切换
5. 电动汽车和混合动力汽车中的电力管理系统
6. 太阳能逆变器
7. LED 驱动电路
8. 各类需要高效功率转换的应用场景
SM4365NATPC-TRG, IRFZ44N, FDP55N06L