容量：256Kbit
　　组织结构：16K x 16位
　　电源电压：3.3V或5V可选
　　访问时间：55ns
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　封装引脚数：54
　　接口类型：并行
　　读取电流：最大200mA
　　待机电流：最大10mA

HY628400LLT2-55 是一款低功耗、高速的异步SRAM芯片，其核心特性之一是具备55纳秒的访问时间，能够满足高速数据处理的需求。芯片支持3.3V或5V的电源供电，具有良好的兼容性，适用于多种系统设计。该SRAM具有双向数据总线和独立的读写控制信号，确保了数据的高效传输和灵活控制。此外，该器件具备低待机电流特性，有助于在不使用时节省系统功耗，提高能效。
　　该芯片的封装形式为TSOP（薄型小外形封装），体积小巧，适合在空间受限的应用中使用。工业级的工作温度范围使其能够在各种恶劣环境中稳定运行。HY628400LLT2-55 采用CMOS工艺制造，具备高抗干扰能力和稳定性，确保在高频应用中的可靠操作。其高速读写能力、低功耗设计以及高集成度，使该芯片成为嵌入式系统、网络交换设备、工业自动化控制器等领域的理想选择。

HY628400LLT2-55 SRAM芯片广泛应用于对数据访问速度要求较高的电子系统中。其主要应用领域包括但不限于：网络通信设备（如路由器、交换机）、工业控制系统（如PLC、运动控制器）、测试与测量仪器、数据采集系统、嵌入式处理器系统以及需要缓存或高速存储的应用场景。由于其低功耗特性和宽温度范围的工作能力，该芯片也适用于环境较为严苛的工业现场设备和远程通信模块。

CY62148EAVTA1-45LLI, IDT71V416SA10PFG, IS61LV25616-55BLL