WS24M3T 时间：2025/12/26 22:32:33 阅读：22

WS24M3T是一款由Wingtech（闻泰科技）生产的N沟道增强型MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和开关电源等电子电路中。该器件采用先进的沟槽栅极工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点，适用于对效率和功率密度要求较高的应用场合。WS24M3T封装形式为SOT-23，属于小型表面贴装封装，便于在紧凑的PCB布局中使用，尤其适合便携式电子产品和空间受限的设计。该MOSFET能够在较低的栅极驱动电压下实现完全导通，兼容3.3V或5V逻辑电平控制，因此可直接由微控制器或其他数字逻辑器件驱动，无需额外的电平转换电路。此外，WS24M3T具备优良的雪崩能量承受能力与抗过载性能，在瞬态负载变化或异常工作条件下仍能保持稳定运行。其结构设计优化了电场分布，降低了开关过程中的损耗，从而提升了整体系统能效。由于其高可靠性与性价比，WS24M3T常被用于电池供电设备、LED驱动、电源开关模块以及各类消费类电子产品中。

参数

型号：WS24M3T
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：3.4A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：12A
　　导通电阻（RDS(on)）：24mΩ @ VGS=4.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：30mΩ @ VGS=2.5V
　　阈值电压（Vth）：0.6V ~ 1.0V
　　输入电容（Ciss）：380pF @ VDS=10V
　　输出电容（Coss）：120pF @ VDS=10V
　　反向传输电容（Crss）：40pF @ VDS=10V
　　栅极电荷（Qg）：8nC @ VGS=4.5V
　　功耗（Pd）：1W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装：SOT-23

特性

WS24M3T采用先进的沟道设计与沟槽栅技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），在VGS=4.5V时典型值仅为24mΩ，这使得器件在大电流通过时产生的导通损耗极小，有助于提高系统的整体效率并减少散热需求。低RDS(on)特性特别适用于电池供电设备，如移动电源、蓝牙耳机、智能手环等，能够有效延长电池续航时间。同时，该器件在低至2.5V的栅极电压下仍能实现良好的导通状态，确保在3.3V甚至更低电压系统中也能可靠工作，增强了其在现代低电压、低功耗设计中的适用性。
　　该MOSFET具备快速开关响应能力，得益于其较小的栅极电荷（Qg=8nC）和输入电容（Ciss=380pF），在高频开关应用中表现出色，可用于同步整流、DC-DC降压或升压转换器等拓扑结构中。快速开关不仅减少了开关过渡期间的能量损耗，还有助于减小外围滤波元件的尺寸，从而实现更高功率密度的电源设计。
　　WS24M3T的阈值电压范围为0.6V至1.0V，属于超低阈值类型，使其在微弱信号控制下即可开启，适合用于精密开关控制或由GPIO直接驱动的应用场景。此外，器件具备良好的热稳定性，在结温达到150°C时仍能维持正常工作，内置的热保护机制可防止因过热导致的永久性损坏，提升了长期运行的可靠性。
　　SOT-23封装具有体积小、重量轻、焊接方便的优点，支持回流焊和波峰焊等多种贴片工艺，适用于自动化大规模生产。尽管封装小巧，但其引脚布局合理， Drain、Gate、Source引脚排列清晰，有利于降低寄生电感和电磁干扰。综合来看，WS24M3T是一款高性能、高性价比的通用型N沟道MOSFET，适用于多种中低功率开关应用。

应用

WS24M3T广泛应用于便携式电子设备中的电源开关与负载切换，例如智能手机、平板电脑、TWS耳机等产品中的电池隔离与充放电控制。在DC-DC转换电路中，它常作为同步整流管或高端/低端开关管使用，提升转换效率并降低温升。此外，该器件也适用于LED背光驱动电路，用于实现精确的亮度调节与开关控制。在电机驱动领域，WS24M3T可用于微型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，执行方向切换与启停控制。工业控制模块、传感器供电管理、USB电源开关、充电管理IC配套电路以及各类消费类电子产品中的逻辑电平切换与信号通断控制也是其典型应用场景。得益于其小封装特性，WS24M3T特别适合空间受限的高密度PCB设计。