类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：85V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：110A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为3.2mΩ（典型值为2.6mΩ），在VGS=10V时
　　功率耗散（PD）：420W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-263（D2Pak）
　　栅极电荷（Qg）：约130nC（在VGS=10V时）

IXTF230N085T具有多项显著特性，使其在功率MOSFET领域表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。这对于需要高功率密度和高能效的电源转换器尤为重要。其次，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使得在相同封装尺寸下，其电流处理能力更强，同时保持较低的开关损耗。
　　此外，IXTF230N085T的封装形式为TO-263（D2Pak），具备良好的散热性能，从而提升了器件在高功率应用中的可靠性和稳定性。其高耐压能力（85V VDS）也使得它适用于多种电压范围较宽的电源系统，如汽车电子、工业自动化和电源管理设备。
　　该器件还具备较高的栅极稳定性，其最大栅源电压为±20V，允许在较宽的驱动条件下工作，从而提高了系统的灵活性。同时，其较高的连续漏极电流能力（110A）使其能够支持高负载条件下的运行，适用于高功率电机驱动和大电流开关电路。
　　最后，IXTF230N085T的工作温度范围为-55°C至+175°C，表明其具有优异的环境适应性，能够在极端温度条件下稳定工作，适用于恶劣工业环境和高温应用场景。

IXTF230N085T因其优异的性能和可靠性，广泛应用于多个领域。首先，在电源管理系统中，该器件常用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，其低导通电阻和高电流能力可显著提高系统效率并减少发热。其次，在电机驱动器和功率开关应用中，IXTF230N085T的高耐压和大电流承载能力使其成为理想的选择，特别是在需要频繁开关操作的场合。
　　此外，该器件还广泛应用于汽车电子系统，例如车载充电器、电池管理系统（BMS）和电机控制模块，其宽工作温度范围和高可靠性确保其在严苛的车辆环境下稳定运行。同时，IXTF230N085T也适用于工业自动化设备，如变频器、伺服驱动器和不间断电源（UPS），满足高功率和高稳定性的需求。
　　由于其优异的热性能和封装设计，IXTF230N085T也适用于高密度电源模块和功率集成电路（PIC），在空间受限但需要高性能的系统中提供可靠支持。

IXFN230N085P, IXTP230N085T, IRF2804PBF