时间：2025/8/19 10:08:20
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HF0500是一款由Hefei Core Semiconductor（合肥芯半导体）生产的碳化硅（SiC）功率MOSFET，适用于高功率密度和高效率的电力电子系统。该器件基于SiC宽禁带半导体技术，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性，适用于电动汽车、太阳能逆变器、储能系统和工业电源等领域。
类型：碳化硅MOSFET
工作电压：650V
连续漏极电流：50A
导通电阻Rds(on)：35mΩ
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
栅极电荷Qg：55nC
短路耐受能力：600V/50A @ 10μs
符合标准：RoHS
HF0500碳化硅MOSFET采用了先进的SiC技术，具有优异的导通和开关性能。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件具有出色的高温稳定性，即使在175°C的高温环境下仍能稳定工作，适用于高功率密度设计。HF0500还具备良好的短路耐受能力，可在高应力条件下提供可靠的保护。此外，其封装设计优化了散热性能，有助于提升整体系统的稳定性和寿命。
在开关性能方面，HF0500的开关损耗远低于传统硅基MOSFET和IGBT，特别适合高频应用，有助于减小电感和电容的体积，提高系统功率密度。同时，该器件具有较低的寄生电容和栅极电荷，进一步提升了其高频响应和能效。这些特性使得HF0500在高功率、高频率和高温应用中表现出色，是电动车充电桩、车载充电器、光伏逆变器和储能系统等领域的理想选择。
HF0500广泛应用于电动汽车充电系统、光伏逆变器、储能系统、UPS不间断电源、工业电机驱动以及高功率DC-DC转换器。其优异的电气特性和热性能使其成为高频高功率设计的理想选择。
C3M0032100K（Wolfspeed）、SCT3045AW7（ROHM）、SiC MOSFET 650V 60A（Infineon CoolSiC系列）
