您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > R6030225HSYA

R6030225HSYA 发布时间 时间:2025/8/7 3:34:10 查看 阅读:33

R6030225HSYA 是一款由瑞萨电子(Renesas Electronics)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率和高频应用,例如电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及工业自动化系统。该器件采用高性能沟槽栅极技术,具备低导通电阻(Rds(on))和高开关速度,能够显著降低开关损耗并提高整体系统效率。R6030225HSYA采用HSOP(高密度小外形封装)封装形式,具有良好的热管理和空间利用率,适用于紧凑型电子设备的设计。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):600V
  栅源电压(Vgs):±30V
  连续漏极电流(Id):30A
  导通电阻(Rds(on)):典型值为0.22Ω
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:HSOP
  功率耗散(Pd):150W

特性

R6030225HSYA具备多项优异的电气和热性能,首先,其低导通电阻(Rds(on))可以显著降低导通损耗,提高能源转换效率。其次,该器件具有高耐压特性(600V Vds),能够适应高电压工作环境,适用于多种工业级应用。此外,R6030225HSYA采用先进的沟槽栅极结构,使得其具有优异的开关性能,减少开关过程中的能量损耗,从而提高系统的整体能效。
  在热管理方面,HSOP封装设计提供了良好的散热性能,确保MOSFET在高负载条件下仍能保持稳定运行。此外,该器件的栅极驱动电压范围较宽(±30V),使其能够与多种驱动电路兼容,提高了设计的灵活性。同时,R6030225HSYA具备良好的抗雪崩能力,能够承受短时间的过载和高能脉冲,增强了器件的可靠性和耐用性。
  最后,R6030225HSYA在制造过程中采用了环保材料,符合RoHS指令,适合绿色电子产品的开发需求。这些特性共同使其成为工业电源、电机控制、照明系统以及高效率电源转换设备的理想选择。

应用

R6030225HSYA广泛应用于多个领域,包括但不限于工业自动化设备、高频电源转换器、电机驱动系统、LED照明电源、不间断电源(UPS)、电池管理系统(BMS)以及各种高功率开关电源。由于其优异的电气性能和稳定的热管理能力,该器件在需要高效能、高可靠性的应用场景中表现出色。例如,在DC-DC转换器中,R6030225HSYA的低导通电阻和快速开关特性有助于提高转换效率并减少能量损耗;在电机控制应用中,该MOSFET能够提供稳定的电流控制和高效的功率切换,确保电机运行平稳;在LED照明系统中,该器件可用于驱动高亮度LED模块,提供稳定可靠的电源管理解决方案。此外,R6030225HSYA也适用于各种工业自动化控制系统中的功率开关模块,确保设备在高负载条件下仍能保持稳定运行。

替代型号

R6030KNX, R6030KND4, R6020HSYA, R6028KND4

R6030225HSYA推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

R6030225HSYA参数

  • 标准包装9
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)200V
  • 电流 - 平均整流 (Io)250A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)2V @ 800A
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)1µs
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电50mA @ 200V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型底座,接线柱安装
  • 封装/外壳DO-205AB,DO-9,接线柱
  • 供应商设备封装DO-205AB,DO-9
  • 包装散装