R6020835ESYA 时间：2025/8/7 4:09:48 阅读：17

R6020835ESYA 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效能的电源管理和功率转换应用。这款器件采用了先进的制造工艺，具有优异的电气性能和可靠性，适用于各种需要高效功率控制的场合，例如 DC-DC 转换器、电机驱动、电池管理系统以及负载开关等。R6020835ESYA 封装在小型化的表面贴装封装中，使其适用于高密度电路板设计。

参数

类型: N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流 (ID): 20 A
　　最大漏源电压 (VDS): 60 V
　　最大栅源电压 (VGS): ±20 V
　　导通电阻 (RDS(on)): 8.3 mΩ（典型值）
　　栅极电荷 (Qg): 34 nC（典型值）
　　工作温度范围: -55°C 至 +150°C
　　封装类型: TSMT（表面贴装）

特性

R6020835ESYA 功率 MOSFET 的一大核心优势在于其低导通电阻（RDS(on)），这使得器件在导通状态下的功率损耗大大降低，从而提高了整体系统的效率。
　　该器件的高电流处理能力（最大漏极电流为 20 A）和高达 60 V 的漏源电压使其能够应对各种中高功率应用的需求。
　　此外，R6020835ESYA 具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，增强了其在严苛环境中的可靠性。
　　该 MOSFET 还具有较低的栅极电荷（Qg 为 34 nC），这有助于降低开关损耗，使其在高频开关应用中表现出色。
　　其表面贴装封装（TSMT）不仅节省了 PCB 空间，还简化了装配工艺，适合自动化生产和高密度电路板设计。
　　由于其 ±20 V 的栅源电压耐受能力，R6020835ESYA 在面对电压波动或瞬态情况时也表现出较高的鲁棒性，从而延长了使用寿命。

应用

R6020835ESYA 由于其高效的功率处理能力和紧凑的封装设计，广泛应用于多种电子系统中。
　　它常用于 DC-DC 转换器中，作为主开关器件，用于提升电源转换效率并减小电路体积。
　　在电机控制应用中，如直流电机驱动或步进电机控制，R6020835ESYA 提供了快速的开关响应和可靠的电流承载能力。
　　该器件也适用于电池管理系统（BMS），用于实现充放电控制和负载切换，确保电池组的安全运行。
　　此外，R6020835ESYA 还可用于负载开关、电源管理模块以及各种高效率电源供应器中，例如适配器、UPS（不间断电源）和工业自动化设备中的电源部分。
　　在汽车电子领域，它也可用于车载充电系统、LED 照明驱动以及电动工具等应用中。