时间：2025/9/1 13:48:45
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IS43DR16128B-3DBL 是由 Integrated Silicon Solution（ISSI）公司生产的一款高速、低功耗的DRAM芯片，属于异步静态随机存取存储器（DRAM）的一种。该型号的存储容量为16M x 16位，即总共256Mb的存储容量，适用于需要大容量数据缓存和快速访问的应用场景。该芯片采用CMOS工艺制造，具有较高的集成度和稳定性，适用于工业、通信、消费类电子产品等领域。IS43DR16128B-3DBL 采用 54-pin TSOP 封装，具有良好的散热性能和稳定性，适合在多种工作环境下使用。
存储容量：256Mb
组织结构：16M x 16位
电源电压：2.3V - 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）
封装类型：54-pin TSOP
访问时间：3.5ns（最大）
最大工作频率：166MHz
数据输入/输出方式：并行
刷新方式：自动刷新/自刷新
封装尺寸：标准TSOP尺寸
IS43DR16128B-3DBL 具备低功耗设计，适用于需要长时间运行且功耗要求严格的系统。其高速访问时间（3.5ns）确保了数据的快速读写，适用于图像处理、嵌入式系统、通信设备等高性能应用。该芯片支持自动刷新和自刷新模式，确保数据在不频繁访问时依然保持稳定。CMOS制造工艺提供了更高的噪声免疫性和更低的静态电流，增强了系统的稳定性。54-pin TSOP封装形式不仅减小了PCB空间占用，还提高了高频工作下的信号完整性。该芯片支持并行数据传输，能够与多种主控芯片直接连接，简化系统设计。此外，其宽工作温度范围(-40°C至+85°C)使其适用于工业和汽车环境。
IS43DR16128B-3DBL 广泛应用于需要高速缓存和临时数据存储的场景，如网络路由器、交换机、数字电视、机顶盒、工业控制设备、医疗成像系统、嵌入式图形处理系统、汽车信息娱乐系统等。该芯片的高速性能和低功耗特性使其成为高性能嵌入式系统的理想选择。
IS43DR16328B-3DBL, IS43DR16128A-3DBL, IS48C1616A-3B4-6A
