MBR545 时间：2025/12/27 7:40:46 阅读：12

MBR545是一款由ONSEMI（安森美）生产的表面贴装肖特基势垒二极管，采用TO-277封装，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源转换系统中。该器件具有低正向电压降和快速开关特性，非常适合用于DC-DC转换器、逆变器、续流与箝位电路等应用场合。MBR545的结构设计使其能够在高频工作条件下保持较低的功耗，从而提高整体系统效率。该二极管为双芯片共阴极配置，即在一个封装内集成两个独立的肖特基二极管并共享一个阴极端子，这种结构常用于全波整流或同步整流拓扑中。由于其优异的热性能和紧凑的封装形式，MBR545特别适合对空间和散热有严格要求的现代电子设备，如便携式电子产品、通信电源模块以及工业控制系统中的电源部分。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的抗潮湿能力，适用于自动化贴片生产工艺。在实际使用中，需注意PCB布局以优化散热路径，确保长期运行的稳定性与可靠性。

参数

类型：肖特基二极管
　　配置：共阴极双二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：45V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：2.5A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A（8.3ms半正弦波）
　　最大正向电压降（VF）：0.52V @ 1A, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：0.4mA @ 45V, 25°C
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装：TO-277（DPAK-3 表面贴装）
　　引脚数：3
　　热阻（RθJA）：约60°C/W（典型值，取决于PCB布局）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

特性

MBR545的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，使得该器件具备极低的正向导通压降，通常在1A电流下仅为0.52V左右，显著低于传统PN结二极管。这一特性直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了电源系统的整体能效，尤其适用于电池供电或高效率要求的应用场景。由于肖特基二极管属于多数载流子器件，不存在少数载流子的存储效应，因此具有极快的反向恢复速度，几乎可以忽略反向恢复时间（trr），从而有效减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。
　　该器件的共阴极双二极管结构设计使其非常适合用于中心抽头变压器的全波整流电路或同步整流架构中，在此类应用中能够简化外围电路设计并节省PCB空间。TO-277封装具有优良的热传导性能，通过底部散热焊盘可将热量高效传递至PCB地层，从而支持持续2.5A的平均整流电流输出。同时，该封装兼容自动化回流焊工艺，适合大规模生产。
　　MBR545具备良好的高温稳定性和较低的反向漏电流，在125°C结温下仍能保持可靠的电气性能。其反向耐压为45V，适用于常见的12V、24V和36V直流电源系统，例如服务器电源、LED驱动器和太阳能微逆变器等。此外，该器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏置（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和温度循环测试，确保在恶劣环境下长期稳定运行。

应用

MBR545广泛应用于各类中低电压、中等电流的电源转换系统中。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）中的次级侧整流电路，特别是在隔离式反激、正激和LLC谐振变换器中作为输出整流二极管使用。由于其低VF和快速响应特性，它也常被用于DC-DC升压或降压转换器中的续流二极管，以提升轻载和满载条件下的转换效率。
　　在便携式消费类电子产品中，如笔记本电脑适配器、手机充电器和平板电源模块，MBR545有助于实现小型化和高能效的设计目标。此外，该器件还可用于逆变器系统中的箝位保护电路，防止感应电压尖峰损坏主开关器件（如MOSFET或IGBT）。在工业控制领域，MBR545可用于PLC电源模块、电机驱动器和传感器供电单元中，提供稳定可靠的整流功能。
　　由于其表面贴装封装形式，MBR545特别适合高度自动化的SMT生产线，适用于通信基站电源、网络设备电源板以及嵌入式电源系统等对组装精度和可靠性要求较高的场合。此外，也可作为理想二极管替代方案用于冗余电源切换或防倒灌电路中。