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R6020235ESYA 发布时间 时间:2025/8/7 2:26:27 查看 阅读:9

R6020235ESYA是瑞萨电子(Renesas Electronics)推出的一款功率MOSFET,属于其功率半导体产品线的一部分。这款MOSFET专为高效率、高频率和高功率密度的应用而设计,适用于各种工业和消费类电子产品中的电源转换系统。

参数

类型:功率MOSFET
  制造工艺:硅基
  最大漏极电流(ID):60A
  漏源极击穿电压(VDS):600V
  导通电阻(RDS(on)):典型值为0.23Ω
  封装类型:TO-220
  工作温度范围:-55°C至150°C
  栅极阈值电压(VGS(th)):2V至4V
  最大功耗(PD):80W
  输入电容(Ciss):约1900pF
  封装形式:符合RoHS标准

特性

R6020235ESYA具备低导通电阻特性,有助于减少导通损耗,提高系统效率。其高击穿电压能力使其适用于高压应用,如开关电源(SMPS)和电机控制电路。此外,该器件具有良好的热稳定性和较高的耐用性,适合在高温环境下运行。TO-220封装提供了良好的散热性能,同时也便于安装和使用。此外,该MOSFET具有较快的开关速度,适用于高频开关操作,从而减小外围元件的尺寸并提高整体系统的功率密度。由于其稳健的设计,R6020235ESYA在过载和短路情况下也表现出良好的耐受能力。

应用

R6020235ESYA广泛应用于各种电源管理系统,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、UPS系统以及工业自动化设备中的功率控制电路。此外,它也适用于LED照明系统、电池充电器以及其他需要高效率、高可靠性的功率电子设备。

替代型号

R6020235ESYA的替代型号可能包括R6020KNX、R6020ENZ、R6030KX、R6030EN、R6016END等,具体替换需根据实际应用条件和电气参数进行评估。

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R6020235ESYA参数

  • 标准包装10
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)200V
  • 电流 - 平均整流 (Io)350A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.5V @ 800A
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)2µs
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电50mA @ 200V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型底座,接线柱安装
  • 封装/外壳DO-205AB,DO-9,接线柱
  • 供应商设备封装DO-205AB,DO-9
  • 包装散装