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NTD4809NT4G 发布时间 时间：2023/11/6 17:48:25 查看 阅读：117

类别：分离式半导体产品

目录

概述

类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：9 毫欧 @ 30A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：9A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：13nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：1456pF @ 12V
功率 - 最大：1.3W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：D-Pak

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NTD4809NT4G产品

NTD4809NT4G参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.6A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C9 毫欧 @ 30A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs13nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1456pF @ 12V
  • 功率 - 最大1.4W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NTD4809NT4G-NDNTD4809NT4GOSTR

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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