时间：2025/8/14 2:15:38
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MMBT6517 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双极型晶体管（BJT），属于 NPN 类型的小信号晶体管。这款器件主要用于需要高频性能和低噪声的应用，例如射频（RF）放大、开关电路和通用放大器电路。MMBT6517 采用 SOT-23 封装，这种封装形式非常常见，适合在空间受限的电路板上使用。该晶体管具有良好的高频响应，因此在许多无线通信设备和模拟电路中被广泛采用。
晶体管类型：NPN
最大集电极电流（Ic）：100 mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：50 V
最大集电极-基极电压（Vcb）：50 V
最大功耗（Pd）：300 mW
最大工作温度：150 °C
封装类型：SOT-23
增益带宽积（fT）：250 MHz
直流电流增益（hFE）：在 2 mA 时为 110 至 800（具体数值取决于工作条件）
MMBT6517 拥有出色的高频性能，使其成为射频放大和高速开关应用的理想选择。其增益带宽积（fT）高达 250 MHz，这表示该晶体管可以在较高频率下保持较高的增益水平，从而提高放大器的性能。
此外，MMBT6517 的 hFE（直流电流增益）范围较广，通常在 110 到 800 之间，具体数值取决于集电极电流和工作条件。这种宽范围的 hFE 使其适用于多种放大电路设计，并且可以通过偏置调整来优化电路性能。
该晶体管的封装形式为 SOT-23，这种封装不仅体积小巧，还提供了良好的热性能和电气性能，适用于自动化装配和表面贴装技术（SMT）。
MMBT6517 的最大集电极电流为 100 mA，最大集电极-发射极电压为 50 V，因此在中等功率应用中表现出色。其最大功耗为 300 mW，这意味着它可以在相对较高的功率条件下运行而不会过热，同时保持较高的效率。
另外，MMBT6517 的设计确保了较低的噪声系数，使其在低噪声放大器中具有良好的表现。这在射频和音频应用中尤为重要，因为它可以减少信号失真并提高整体系统的信噪比。
MMBT6517 被广泛应用于需要高频性能和低噪声的电路设计中。例如，在射频（RF）接收器和发射器中，MMBT6517 可用于前级放大器，以提高信号的强度而不引入过多噪声。此外，它也常用于中频放大器和混频器电路中。
在数字电路中，MMBT6517 可用于高速开关应用，例如逻辑门电路和缓冲器电路。由于其高频响应良好，它可以快速切换状态，从而提高电路的响应速度。
此外，MMBT6517 也适用于音频放大器电路，特别是在前置放大器阶段。它的低噪声特性和良好的增益稳定性可以显著提高音频信号的质量。
由于其紧凑的 SOT-23 封装，MMBT6517 非常适合用于便携式电子设备，如智能手机、无线耳机和无线传感器网络。这些设备通常对空间和功耗有严格的要求，而 MMBT6517 的小尺寸和高效能使其成为理想的选择。
最后，MMBT6517 还可以用于电源管理电路、电压调节器和 LED 驱动电路中，特别是在需要中等功率放大的场合。
2N3904, BC547, PN2222A
