工作电压范围：1.0V ~ 6.0V
　　检测电压值：3.19V（精度±1.0%）
　　静态电流：典型值0.65μA（最大1.0μA）
　　输出类型：Nch开漏输出
　　复位延迟时间：可外部电容调节或内部固定
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：DFN(PLP2212-6)
　　阈值温度系数：±20ppm/°C
　　响应时间：典型值10μs
　　驱动能力：最大可吸入30mA电流（需外接上拉电阻）

R5439K319JB-TR的核心特性之一是其极低的静态电流消耗，典型值仅为0.65μA，使其非常适合用于电池供电的便携式设备，如智能手表、无线传感器节点、可穿戴设备和物联网终端等。这种超低功耗设计显著延长了设备的待机时间和电池寿命，同时不影响电压检测的响应速度和精度。该芯片采用高精度带隙基准电压源，确保在整个工作温度和电压范围内都能维持±1.0%的高检测精度，这对于需要可靠复位功能的微处理器系统至关重要。当系统电源电压波动或电池电量下降时，R5439K319JB-TR能够及时触发复位信号，防止微控制器进入不稳定运行状态，从而提升整个系统的稳定性与安全性。
　　R5439K319JB-TR的另一个显著特点是其灵活的输出配置。它采用N沟道开漏输出结构，允许用户通过外接上拉电阻连接到任意逻辑电平，兼容1.8V、3.3V或5V系统，增强了其在多电压系统中的适应性。此外，开漏输出支持多个电压检测器并联使用，实现“线与”逻辑功能，便于构建复杂的电源监控网络。该器件还具备快速响应能力，从检测到电压异常到输出状态翻转的时间仅需约10μs，能够有效应对突发的电源跌落事件。
　　在封装方面，R5439K319JB-TR采用DFN(PLP2212-6)小型无铅封装，尺寸仅为2.0mm × 1.2mm × 0.6mm，极大地节省了PCB布局空间，满足现代电子产品小型化、轻薄化的设计需求。该封装具有良好的热性能和机械强度，适合回流焊工艺，适用于大规模自动化生产。此外，器件内置过热保护和抗噪声设计，能够在复杂电磁环境中稳定工作。R5439K319JB-TR的工作温度范围覆盖-40°C至+85°C，适用于工业级应用环境，确保在极端温度条件下仍能可靠运行。

R5439K319JB-TR广泛应用于各类需要电源电压监控的电子系统中。在便携式设备领域，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和健康监测设备中，它用于监测电池电压，防止因电压过低导致系统崩溃或数据丢失。在嵌入式系统和微控制器单元（MCU）中，该芯片常作为复位发生器，确保上电过程中MCU在电源稳定后才开始运行，避免启动失败或程序跑飞。在工业控制系统中，R5439K319JB-TR可用于PLC、传感器模块和远程终端单元（RTU）中，实现对电源质量的持续监控，提高系统可靠性。
　　在汽车电子应用中，尽管该型号非AEC-Q100认证，但仍可用于部分车载信息娱乐系统或辅助设备中进行电压检测。在通信设备如Wi-Fi模块、Zigbee网关和LoRa节点中，R5439K319JB-TR帮助维持系统在低功耗模式下的电压安全边界，确保通信链路的稳定性。此外，该器件也适用于智能家居设备、电子锁、遥控器和便携式医疗仪器等产品中，提供精准、低功耗的电源管理解决方案。其高集成度和小封装特性使其成为空间受限应用的理想选择。

R3112Q319A-TR-F
　　R1140Q319A-TR-F
　　XC6152A319MR-G