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R5016FNX 发布时间 时间:2025/12/25 12:59:18 查看 阅读:9

R5016FNX是一款由理光微电子(Ricoh Microelectronics)推出的高精度、低功耗电压检测器(Voltage Detector)芯片,广泛应用于需要稳定电源监控的电子设备中。该器件主要用于监测系统电源电压,并在电压低于或高于预设阈值时输出相应的信号,以确保系统的可靠运行。R5016系列属于CMOS工艺制造的复位IC,具备高稳定性、低电流消耗和小封装尺寸等特点,适用于对空间和功耗要求较高的便携式设备。
  R5016FNX采用DFN(Dual Flat No-lead)封装,具有良好的热性能和电气性能,适合自动化表面贴装工艺。其内部集成了精密电压参考源、比较器和输出驱动电路,可根据外部配置实现上升检测或下降检测功能。该芯片支持多种固定检测电压版本,具体型号后缀表示不同的阈值电压和输出类型(如N沟道开漏或CMOS输出)。
  该器件的工作电压范围较宽,能够适应多种供电环境,常用于电池供电设备、嵌入式系统、工业控制模块、消费类电子产品等场景中,作为上电复位(Power-on Reset, POR)或欠压保护(Brown-out Detection)的关键元件。

参数

工作电压范围:0.7V ~ 6.0V
  静态电流:典型值0.45μA
  检测电压范围:1.2V ~ 5.0V(按型号后缀不同)
  检测精度:±1.0%
  输出类型:N沟道开漏输出
  复位延迟时间:通过内置电路设定,典型值180ms
  工作温度范围:-40°C ~ +105°C
  封装形式:DFN(PLP) 1.6×1.6×0.55mm

特性

R5016FNX的核心特性之一是其超低静态电流消耗,典型值仅为0.45μA,使其非常适合用于长期依赖电池供电的应用场景,例如可穿戴设备、物联网传感器节点和远程监控终端。这种极低的功耗设计显著延长了设备的待机时间和电池寿命,同时不会牺牲检测精度和响应速度。其内部采用高精度带隙基准电压源,确保在整个工作温度范围内都能保持稳定的检测性能,检测精度可达±1.0%,有效避免误触发或漏检问题。
  该芯片支持灵活的检测模式配置,用户可以根据实际需求选择上升检测(用于上电复位)或下降检测(用于欠压警告)功能。当输入电压低于设定的阈值时,输出端会立即拉低,通知微控制器或其他逻辑电路进入安全状态;而当电压恢复并稳定超过阈值后,经过内置的复位延迟时间(典型180ms),输出才会恢复为高阻态,从而保证系统有足够的时间完成初始化操作。这一机制有效防止了因电源波动导致的频繁重启问题。
  R5016FNX采用DFN小型化封装,尺寸仅为1.6×1.6×0.55mm,极大节省了PCB布局空间,特别适用于高度集成的便携式电子产品。此外,该封装具备优良的散热性能和机械强度,增强了产品在恶劣环境下的可靠性。芯片还具备出色的抗噪声干扰能力,能够在电磁环境复杂的工业现场稳定工作。其宽达-40°C至+105°C的工作温度范围也使其适用于汽车电子、工业自动化等领域。
  另一个重要特点是其输出结构为N沟道开漏形式,允许用户通过外接上拉电阻连接到任意兼容的逻辑电平,实现与不同电压域系统的接口匹配。这种设计提高了系统的兼容性和灵活性,尤其在多电源域设计中优势明显。整体而言,R5016FNX以其高精度、低功耗、小体积和高可靠性,成为现代电子系统中理想的电压监控解决方案。

应用

R5016FNX广泛应用于各类需要电源电压监控的电子系统中,典型应用场景包括便携式医疗设备、智能仪表、无线传感器网络、智能家居控制器以及工业自动化模块。在这些设备中,它通常被用作微处理器或微控制器的复位信号源,确保在电源不稳定或电压跌落时系统能够及时复位,防止程序跑飞或数据损坏。由于其超低功耗特性,该芯片特别适用于使用纽扣电池或锂离子电池供电的长期部署设备,例如环境监测终端和资产追踪标签。
  在消费类电子产品中,如TWS耳机、智能手环和电子标签,R5016FNX可用于监控主电源或备份电源的状态,保障关键数据的安全存储与正常读写。在汽车电子领域,该芯片可应用于车身控制模块、车载传感器单元和电池管理系统中,提供可靠的电压检测功能,提升整车系统的安全性与稳定性。此外,在工业控制系统中,R5016FNX可用于PLC扩展模块、远程I/O单元等设备中,实现对供电电源的实时监控,预防因电压异常导致的设备故障或生产中断。
  得益于其小型封装和高集成度,R5016FNX也非常适合用于高密度PCB设计,尤其是在空间受限的紧凑型电子产品中表现出色。无论是用于上电复位、掉电预警还是双电源监控架构,该芯片都能提供稳定、精准的检测能力,是构建高可靠性电子系统的重要组件之一。

替代型号

R3111N25AAE-FE
  R3112N30AE-TR-F
  XC6133C25MR-G

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R5016FNX参数

  • 现有数量2现货
  • 价格1 : ¥55.73000散装
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)500 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)16A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)325 毫欧 @ 8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)46 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1700 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)50W(Tc)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220FM
  • 封装/外壳TO-220-3 整包