TP76N075T 时间：2025/7/26 20:48:52 阅读：13

TP76N075T 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道功率MOSFET。该器件专为高电流、高效率的应用设计，适用于多种功率管理场景，例如电源转换、电机控制和负载开关。TP76N075T 采用先进的技术，提供较低的导通电阻（Rds(on)）以及较高的热稳定性和可靠性，使其在高功率应用中表现出色。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：75V
　　漏极电流（Id）：80A（最大）
　　导通电阻（Rds(on)）：约3.5mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：150nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6
　　最大功耗：300W

特性

TP76N075T 的核心特性之一是其非常低的导通电阻，这显著减少了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件能够在高电流条件下稳定运行，具备良好的热管理能力，这使其适用于高功率密度设计。TP76N075T 采用了先进的封装技术，具有出色的散热性能，能够在高负载条件下保持较低的工作温度。该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力，能够承受瞬时的高能量冲击，提高了系统的可靠性和耐用性。此外，该器件的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，从而进一步提高效率。

应用

TP76N075T 常用于各种高功率电子系统，例如DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关和电源管理模块。在电动汽车和工业自动化领域，该MOSFET被广泛应用于电机控制和电源转换系统中，以实现高效的能量管理。此外，TP76N075T 还可用于高性能电源供应器、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等应用。