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R5016ANX 发布时间 时间:2025/12/25 12:19:34 查看 阅读:26

R5016ANX是一款由理光(Ricoh)公司生产的电压检测器(Voltage Detector)集成电路,属于R501x系列的一部分。该系列芯片广泛应用于需要精确电压监控和复位功能的电子设备中。R5016ANX主要用于监测系统电源电压,并在电压低于预设阈值时产生复位信号,以确保微控制器或处理器能够稳定启动或从异常状态中恢复。该器件采用高精度基准电压源和比较器设计,具有出色的温度稳定性和长期可靠性,适用于对电源管理要求较高的工业、消费类及汽车电子应用。
  R5016ANX采用SOT-23-5小型封装,便于在空间受限的PCB布局中使用。其内部集成了迟滞电路,可有效防止在阈值电压附近因噪声或波动引起的误触发,从而提高系统的稳定性。此外,该芯片工作电流极低,在正常监测状态下仅消耗几微安级别的电流,非常适合电池供电或低功耗应用场景。通过外部电阻分压网络,用户可以灵活设置检测电压,增强了其在不同系统中的适应能力。

参数

工作电压范围:1.8V ~ 6.0V
  复位阈值电压:可调(通过外部电阻设定)
  阈值精度:±1.5%(典型值)
  输出类型:N沟道开漏输出(Open Drain)
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  封装形式:SOT-23-5
  静态电流:约2.5μA(典型值)
  复位延迟时间:可由外部电容设定,典型值为200ms
  驱动能力:支持上拉至最高6V

特性

R5016ANX具备高精度电压检测能力,其内置的基准电压源具有良好的温度稳定性,能够在-40°C至+85°C的宽温度范围内保持±1.5%的检测精度,确保系统在各种环境条件下都能可靠运行。该芯片的可调阈值设计使其适用于多种供电电压等级的系统,用户只需通过两个外部电阻连接到SENSE引脚即可设定所需的电压检测点,极大提升了设计灵活性。这种可配置性使得R5016ANX不仅可用于3.3V或5V系统,还可用于更低电压的嵌入式系统中。
  该器件采用N沟道开漏输出结构,允许输出端上拉至不同于VDD的电压轨,因此可以与不同逻辑电平的MCU接口兼容,例如在1.8V核心电压系统中仍能驱动3.3V的复位信号线。这一特性增强了其在多电压域系统中的适用性。同时,开漏输出方式也便于多个复位源进行“线与”连接,实现复杂的系统级故障保护机制。
  R5016ANX集成了固定的复位延迟功能,延迟时间可通过外接电容进行调节,典型值为200ms,确保在电源上升过程中MCU有足够的时间完成初始化。内部迟滞电路提供了约3%的电压回差,有效避免了在阈值附近因电源纹波或瞬态跌落导致的频繁复位现象,提高了系统的抗干扰能力和稳定性。
  由于其超低静态电流(典型值2.5μA),R5016ANX特别适合于便携式设备和长期运行的物联网节点等对功耗敏感的应用场景。即使在电池电量较低的情况下,也能持续监控电源状态而不显著影响续航时间。此外,SOT-23-5的小型封装减少了PCB占用面积,有助于实现紧凑型设计。整体而言,R5016ANX是一款高性能、高集成度且易于使用的电压监控IC,适用于需要高可靠性和低功耗的现代电子系统。

应用

R5016ANX广泛应用于各类需要电源监控和系统复位功能的电子产品中。在嵌入式系统中,它常用于微控制器(MCU)、DSP或FPGA的上电复位(Power-on Reset, POR)和欠压锁定(Brown-out Detection, BOD)电路,确保数字逻辑在电源稳定后才开始运行,防止因电压不足导致程序跑飞或数据损坏。在工业控制设备中,如PLC、传感器模块和远程I/O单元,该芯片提供可靠的电压监测,保障系统在恶劣电气环境中稳定工作。
  在消费类电子产品中,如智能家居设备、可穿戴装置、无线路由器和便携式医疗仪器,R5016ANX因其小尺寸和低功耗特性而被广泛采用。它能够在电池电压下降时及时发出复位信号,提醒系统进入低功耗模式或保存关键数据,延长设备使用寿命。在汽车电子领域,尽管其工作温度上限为+85°C,限制了其在高温引擎舱内的使用,但仍可用于车厢内部的辅助电子模块,如车载信息终端、车内照明控制和小型电机驱动器等。
  此外,R5016ANX也适用于通信设备中的电源管理单元,用于监控DC-DC转换器输出电压,确保各功能模块获得稳定的供电。在工业仪表、智能电表和远程抄表系统中,该芯片帮助维持长时间运行的可靠性,防止因电网波动或电池老化引发的系统故障。总体来看,R5016ANX凭借其高精度、低功耗和灵活配置的特点,成为众多电子系统中不可或缺的电压监控解决方案。

替代型号

R3111N28AA-R,R3111N28AB-R,R3111N28AC-R

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R5016ANX参数

  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C16A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C270 毫欧 @ 8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs50nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1800pF @ 25V
  • 功率 - 最大50W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220FM
  • 包装散装