时间：2025/9/14 18:30:18
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BZB784-C4V7,115 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款双极性晶体管（BJT）阵列器件。该器件集成了两个NPN晶体管，采用SOT457封装，广泛应用于需要高频率和低功耗的电子电路中。其主要功能包括信号放大、开关控制以及逻辑电平转换等。该晶体管阵列具有良好的热稳定性和高频性能，适合在各种工业控制、消费电子和通信设备中使用。
晶体管类型：双极性晶体管（BJT）阵列
晶体管配置：2个NPN晶体管
最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
最大集电极电流（IC）：100mA
最大功率耗散（PD）：300mW
电流增益（hFE）：110 - 800（取决于工作电流）
过渡频率（fT）：100MHz
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT457（小型表面贴装封装）
BZB784-C4V7,115 的两个集成NPN晶体管具有优良的电气特性，能够在高频环境下保持稳定的工作性能。该器件采用了先进的制造工艺，确保了晶体管的稳定性和可靠性。其SOT457封装设计有助于提高印刷电路板（PCB）的空间利用率，同时具备良好的散热能力，确保在高负载条件下的稳定性。此外，该晶体管阵列具有较低的饱和压降，有助于降低功耗，提高整体能效。
每个晶体管都具有独立的基极、集电极和发射极连接，这使得用户能够灵活地进行电路设计和配置。例如，该器件可以用于构建达林顿对管、开关电路或缓冲放大器等。此外，该晶体管阵列的高电流增益（hFE）范围允许用户根据具体应用选择最佳的工作点，从而优化电路性能。
该器件的制造工艺符合国际质量标准，并且经过严格的测试以确保其在各种应用环境下的可靠运行。无论是用于工业控制、通信设备还是消费电子产品，BZB784-C4V7,115 都能提供出色的性能表现。
BZB784-C4V7,115 主要用于需要高频操作和低功耗的电路设计中。其典型应用包括信号放大器、数字开关电路、逻辑电平转换器、LED驱动电路以及继电器或马达控制电路中的缓冲级设计。此外，该器件也常用于各种嵌入式系统、微控制器外围接口电路以及传感器信号调理电路中。由于其SOT457封装的紧凑尺寸，该晶体管阵列非常适合空间受限的便携式设备和高密度PCB设计。
在工业自动化系统中，BZB784-C4V7,115 可以用于控制继电器、驱动指示灯或作为逻辑信号转换器。而在消费电子产品中，该器件常用于音频放大器的前置级、红外发射电路或电源管理模块。此外，在通信设备中，该晶体管阵列可作为高频信号放大器或调制解调电路的一部分，确保信号传输的稳定性与可靠性。
BC847系列、BCX56、MPSA06、PN2222A
