型号：R4513E
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：120A（@Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：360A
　　导通电阻RDS(on)：典型值2.3mΩ（@VGS=10V, ID=60A）
　　阈值电压（Vth）：典型值1.5V（范围1.0~2.5V）
　　输入电容（Ciss）：约7000pF（@VDS=15V）
　　输出电容（Coss）：约2800pF
　　反向恢复时间（trr）：约25ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：HJSON-8（PQFN）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

R4513E采用了ROHM专有的高性能沟槽结构设计，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而有效减少导通损耗，提高系统整体效率。其超低的2.3mΩ典型RDS(on)使得在大电流应用中发热更小，有助于简化散热设计并提升功率密度。器件具备出色的热稳定性，即使在高温环境下也能维持稳定的电气性能，确保长时间可靠运行。得益于优化的晶圆工艺和封装技术，R4513E具有较低的寄生电感和电阻，提升了开关瞬态响应能力，减少了开关过程中的能量损耗与电磁干扰（EMI）。该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力，能够承受一定程度的电压过冲和瞬态应力，增强了系统的鲁棒性。其快速的开关特性（如短至25ns的反向恢复时间）特别适合高频开关电源应用，例如同步整流型DC-DC变换器、负载点电源（POL）等。此外，R4513E的栅极电荷（Qg）相对较低，降低了驱动电路的功耗需求，便于与各种PWM控制器或驱动IC配合使用。HJSON-8封装不仅体积小巧，节省PCB空间，而且底部带有散热焊盘，可通过PCB实现高效热传导，进一步增强散热效果。整个器件设计兼顾了高性能、高可靠性和易用性，是现代高效率电源系统中的理想选择。
　　该MOSFET在制造过程中严格遵循质量管理体系，经过多重测试验证，包括高温工作寿命测试（HTOL）、温度循环测试（TC）和高压栅极应力测试（HAST），以确保产品在各种应用场景下的长期可靠性。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）使其可在极端环境条件下稳定工作，适用于汽车电子、工业自动化等对环境适应性要求较高的领域。同时，器件内部结构设计有效抑制了米勒效应，降低了因寄生反馈导致的误触发风险，提高了系统安全性。综合来看，R4513E凭借其优异的电气性能、稳健的可靠性设计和先进的封装技术，成为中低压大电流开关应用中的主流器件之一。

R4513E广泛用于需要高效能、大电流切换能力的电子系统中。典型应用包括笔记本电脑和平板电脑的主板电源管理模块，尤其是CPU/GPU核心供电的同步降压转换器；在服务器和通信设备中，作为多相VRM（电压调节模块）的关键开关元件，提供稳定的低压大电流输出。它也常见于电池管理系统（BMS）、电动工具、无人机电调以及便携式储能设备中的电源开关与保护电路。由于其低导通电阻和高电流能力，非常适合用于电动马达的H桥驱动电路，实现正反转与制动控制。此外，在LED照明驱动电源、DC-DC升压/降压模块、USB PD快充适配器等消费类电源产品中，R4513E常被用作主开关或同步整流管，以提升转换效率并减小体积。工业自动化设备中的PLC电源单元、传感器供电模块以及电机驱动板也广泛采用此类高性能MOSFET。在新能源汽车领域，虽然主驱逆变器通常使用IGBT或SiC器件，但R4513E可用于车载信息娱乐系统、辅助电源（DC-DC）或车载充电机（OBC）的次级侧同步整流环节。其表面贴装封装形式便于自动化生产，适用于回流焊工艺，满足现代SMT生产线的需求。总的来说，凡是在30V以下工作电压范围内需要高效、高密度功率开关的场合，R4513E都是一个极具竞争力的选择。

RJK03B9DP
　　SiR142DP
　　IPD95R025PBF