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K9WAG08U1F-SIB0 发布时间 时间:2025/6/4 16:45:38 查看 阅读:6

K9WAG08U1F-SIB0 是由三星(Samsung)生产的一款NAND闪存芯片,属于K9系列。该芯片采用MLC(多层单元)技术,具备高密度存储能力和较快的数据传输速度,广泛应用于消费类电子产品、嵌入式设备和工业领域。其封装形式为BGA(球栅阵列),具有优良的电气性能和可靠性。
  该型号的NAND闪存主要定位于需要大容量数据存储的应用场景,例如固态硬盘(SSD)、USB闪存盘、内存卡等。

参数

存储容量:8GB
  接口类型:Toggle Mode 2.0
  工作电压Vcc:1.8V ± 0.1V
  工作电压VccIO:1.8V/3.3V
  页面大小:8KB
  区块大小:512KB
  擦除周期:3000次(典型值)
  数据保留时间:10年(在25°C条件下)
  工作温度范围:-25°C 至 +85°C
  封装形式:BGA

特性

K9WAG08U1F-SIB0 的一大特点是采用了先进的Toggle Mode 2.0接口技术,这使得它的读写速度显著提高。此外,MLC技术的应用使其能够在每个存储单元中保存多位数据,从而实现更高的存储密度。
  该芯片支持ONFI(开放NAND闪存接口)标准,并且具有强大的错误纠正能力(ECC)。内置的坏块管理功能可以有效提升产品的可靠性和使用寿命。
  另外,它还具备低功耗特性,非常适合对能效要求较高的便携式设备使用。

应用

K9WAG08U1F-SIB0 主要用于以下领域:
  1. 固态硬盘(SSD)
  2. USB闪存盘
  3. 内存卡(如SD卡、MicroSD卡)
  4. 智能手机和平板电脑中的内部存储
  5. 数码相机和其他消费类电子设备
  6. 工业控制设备和网络通信设备中的数据记录模块
  7. 嵌入式系统中的大容量存储解决方案

替代型号

K9WBG08U1M-SCK0, K9WCG08U1M-SGCB

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