时间：2025/6/4 16:45:38
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K9WAG08U1F-SIB0 是由三星（Samsung）生产的一款NAND闪存芯片，属于K9系列。该芯片采用MLC（多层单元）技术，具备高密度存储能力和较快的数据传输速度，广泛应用于消费类电子产品、嵌入式设备和工业领域。其封装形式为BGA（球栅阵列），具有优良的电气性能和可靠性。
该型号的NAND闪存主要定位于需要大容量数据存储的应用场景，例如固态硬盘（SSD）、USB闪存盘、内存卡等。
存储容量：8GB
接口类型：Toggle Mode 2.0
工作电压Vcc：1.8V ± 0.1V
工作电压VccIO：1.8V/3.3V
页面大小：8KB
区块大小：512KB
擦除周期：3000次（典型值）
数据保留时间：10年（在25°C条件下）
工作温度范围：-25°C 至 +85°C
封装形式：BGA
K9WAG08U1F-SIB0 的一大特点是采用了先进的Toggle Mode 2.0接口技术，这使得它的读写速度显著提高。此外，MLC技术的应用使其能够在每个存储单元中保存多位数据，从而实现更高的存储密度。
该芯片支持ONFI（开放NAND闪存接口）标准，并且具有强大的错误纠正能力（ECC）。内置的坏块管理功能可以有效提升产品的可靠性和使用寿命。
另外，它还具备低功耗特性，非常适合对能效要求较高的便携式设备使用。
K9WAG08U1F-SIB0 主要用于以下领域：
1. 固态硬盘（SSD）
2. USB闪存盘
3. 内存卡（如SD卡、MicroSD卡）
4. 智能手机和平板电脑中的内部存储
5. 数码相机和其他消费类电子设备
6. 工业控制设备和网络通信设备中的数据记录模块
7. 嵌入式系统中的大容量存储解决方案
K9WBG08U1M-SCK0, K9WCG08U1M-SGCB
