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C3D02065E 发布时间 时间:2025/4/27 12:35:36 查看 阅读:4

C3D02065E是一款高性能的表面贴装陶瓷电容器,广泛应用于需要低ESR(等效串联电阻)和高频率稳定性的电路中。该型号属于Class III介质材料,具有良好的温度特性和高可靠性,适合用于滤波、耦合、退耦以及旁路等应用场合。
  该电容器采用多层陶瓷结构设计,能够在高频环境下保持稳定的性能,同时提供较低的寄生参数影响。其小型化封装使其非常适合于空间受限的电子设备中。

参数

容量:0.22μF
  额定电压:6.3V
  封装类型:0805
  尺寸:2.0mm x 1.25mm
  耐压范围:±10%
  工作温度范围:-55℃至+125℃
  介电常数:X7R
  ESR(等效串联电阻):≤0.1Ω

特性

C3D02065E具有以下显著特性:
  1. 高稳定性:采用X7R介质材料,确保在宽温度范围内具有极低的容量变化。
  2. 超低ESR:优化的内部结构设计使得电容器在高频下表现出更低的等效串联电阻,从而提高整体效率。
  3. 小型化设计:0805封装形式使其能够适应各种紧凑型PCB布局需求。
  4. 高可靠性:通过严格的质量控制流程生产,确保产品在恶劣环境下的长寿命表现。
  5. 广泛的应用范围:适用于消费类电子产品、通信设备、工业控制等多个领域。

应用

C3D02065E主要应用于以下场景:
  1. 滤波:在电源输入端或信号传输路径上用作滤波器,消除干扰信号,提升系统的信噪比。
  2. 耦合与退耦:为敏感电路提供稳定的直流偏置,同时隔离交流信号的影响。
  3. 旁路:用于去耦稳压电路,减少电源噪声对负载的影响。
  4. 高频电路:由于其低ESR特性,特别适合高频振荡器、放大器和其他射频模块中的应用。

替代型号

C3D02065R, GRM188R71H223KA88D

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C3D02065E参数

  • 现有数量8,116现货
  • 价格1 : ¥11.92000管件
  • 系列Z-Rec?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • 技术SiC(Silicon Carbide)Schottky
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)650 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)8A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.8 V @ 2 A
  • 速度无恢复时间 > 500mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)0 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏50 μA @ 650 V
  • 不同?Vr、F 时电容120pF @ 0V,1MHz
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
  • 供应商器件封装TO-252-2
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 175°C