IR908 时间：2025/8/29 18:30:33 阅读：8

IR908是一款由Infineon Technologies（英飞凌）推出的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于工业控制、电源管理和电机驱动等领域。该器件具有高耐压、低导通电阻和优异的热性能，适用于高效率和高可靠性的电力电子设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：12A
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值0.48Ω
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散（Ptot）：62W

特性

IR908具有多项卓越特性，使其在功率应用中表现出色。首先，其高漏源电压（600V）使其适用于中高功率应用，如开关电源（SMPS）和电机控制器。其次，低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的热阻较低，确保在高负载下仍能保持稳定运行。IR908还具备优异的雪崩能量耐受能力，增强了器件在突发电压情况下的可靠性。其TO-220封装形式不仅便于安装，而且具有良好的散热性能，适合多种PCB布局需求。最后，该MOSFET的栅极驱动特性优化，能够兼容常见的驱动电路，简化了设计流程。
　　在可靠性方面，IR908通过了严格的工业标准测试，能够在恶劣环境下稳定工作。其高抗干扰能力和低漏电流特性也使其在高频开关应用中表现良好，减少了电磁干扰（EMI）问题。此外，该器件的制造工艺采用先进的沟槽技术，提高了电流密度和开关速度，同时降低了整体功耗。

应用

IR908主要应用于各类功率电子设备中，包括但不限于开关电源（SMPS）、电机驱动器、工业自动化控制系统、UPS不间断电源、逆变器以及电焊机等。在这些应用中，IR908凭借其高耐压、低导通电阻和良好的热管理能力，能够有效提升系统效率和可靠性。例如，在开关电源中，IR908可作为主开关器件，实现高效的DC-DC或AC-DC转换；在电机控制中，它可作为H桥结构的一部分，用于控制电机的转向和速度；在UPS系统中，该MOSFET可应用于逆变电路，确保电力中断时的稳定输出。此外，由于其良好的抗冲击和抗干扰能力，IR908也适用于环境较为恶劣的工业现场。