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4N50L-TF3-T 发布时间 时间:2025/12/27 7:27:26 查看 阅读:54

4N50L-TF3-T是一款由ON Semiconductor生产的光耦合器(光电耦合器),广泛应用于需要电气隔离的电路中。该器件由一个红外发光二极管和一个光敏晶体管组成,封装在小型化表面贴装封装内,能够实现输入与输出之间的电气隔离,同时传输信号。4N50L-TF3-T属于通用型光电晶体管输出光耦,适用于多种工业、通信和消费类电子设备中的信号隔离和噪声抑制场景。其设计旨在提供可靠的隔离性能,防止高电压或噪声干扰对控制侧电路造成影响。该器件符合RoHS环保标准,采用无铅(Pb-free)工艺制造,适合现代绿色电子产品的需求。由于其紧凑的封装形式和良好的电气特性,4N50L-TF3-T常用于电源管理、微控制器接口、电机控制以及通信系统中的电平转换与隔离功能。

参数

制造商:ON Semiconductor
  产品系列:4N50L
  元件类型:光电晶体管输出光耦
  通道数:1
  正向电压(VF):1.2V(典型值)
  集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):0.4V(典型值)
  电流传输比(CTR):50% 至 600%(测试条件IF=5mA, VCE=5V)
  隔离电压(Viso):5000VRMS(最小值)
  工作温度范围:-55°C 至 +110°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  封装/外壳:SMD-4(DIP-4 表面贴装变体)
  引脚数:4
  反向电压(VR):6V
  集电极电流(IC):100mA(最大值)
  功耗(PD):200mW(最大值)
  响应时间(上升/下降):3μs / 5μs(典型值)

特性

4N50L-TF3-T具备优异的电气隔离能力和稳定的信号传输特性,能够在高噪声或高电压环境中可靠运行。
  其核心结构包含一个砷化镓红外发光二极管和一个硅基光敏晶体管,通过光信号实现电信号的跨隔离传输,有效阻断地环路干扰和高压冲击对低压控制电路的影响。
  该器件具有较高的电流传输比(CTR),在低输入电流条件下仍能驱动后级负载,提高了系统的能效并降低了驱动电路的设计复杂度。
  CTR范围宽(50%-600%),意味着器件在不同批次和使用条件下具有一致性和兼容性,便于批量生产和长期维护。
  4N50L-TF3-T支持高达5000VRMS的隔离电压,满足大多数工业安全标准要求,适用于交流或直流电源系统中的反馈控制和保护电路。
  器件响应速度快,典型上升时间为3μs,下降时间为5μs,适合中频信号传输应用,如脉冲宽度调制(PWM)信号隔离、数字逻辑电平转换等。
  工作温度范围宽达-55°C至+110°C,使其可在极端环境温度下稳定工作,适用于户外设备、汽车电子及工业自动化系统。
  采用表面贴装封装(SMD-4),有利于自动化贴片生产,节省PCB空间,提升组装效率,并改善热管理和机械稳定性。
  此外,该器件具有良好的抗电磁干扰(EMI)能力,输入与输出之间电容小,减少了高频耦合效应,提升了系统的抗扰度。
  所有材料符合RoHS指令,不含铅、镉等有害物质,符合现代环保法规要求,适合出口型电子产品设计使用。

应用

4N50L-TF3-T广泛应用于各类需要电气隔离的电子系统中。
  在开关电源(SMPS)中,它常用于反馈回路,将次级侧的电压或电流信号隔离后传送到初级侧控制器,实现闭环稳压控制,同时保证主控芯片不受高压侧故障影响。
  在工业控制系统中,该光耦可用于PLC输入/输出模块、继电器驱动电路或传感器接口,实现现场设备与中央处理单元之间的信号隔离,提高系统抗干扰能力和安全性。
  在电机驱动器和逆变器中,4N50L-TF3-T可用于隔离控制信号与功率桥臂驱动电路,防止高压侧噪声串入微控制器。
  通信设备中也常见其身影,例如在RS-232、RS-485等通信接口中用作电平隔离,避免远距离传输带来的地电位差问题。
  此外,在医疗电子设备中,出于安全考虑必须进行严格的电气隔离,该器件可作为辅助电源监控或状态指示信号的隔离元件。
  家用电器如空调、洗衣机、电磁炉等的微处理器控制板上,也常采用此类光耦来隔离按键输入或负载反馈信号。
  由于其体积小、可靠性高,也被用于智能电表、UPS不间断电源、LED照明驱动电源等多种电力电子装置中,执行信号传递与隔离双重功能。

替代型号

SFH620A-3,TLP781(GB,F),PC817X1NSZ,EL357SC-C}

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