类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：55A
　　导通电阻（Rds(on)）：@4.5V=8.5mΩ（最大）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　安装类型：表面贴装

PHB55N03LTT/R具有多项优异的电气和物理特性，适用于高要求的电源管理应用。
　　首先，该MOSFET的低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其典型值在Vgs=10V时为7.5mΩ，最大值为8.5mΩ，确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗。
　　其次，PHB55N03LTT/R支持高达55A的连续漏极电流，能够胜任大功率应用的需求。其漏源电压额定值为30V，栅源电压范围为±20V，具有较强的电压耐受能力和稳定性。
　　该器件采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的散热性能，适用于表面贴装工艺，便于自动化生产并提高PCB空间利用率。此外，该MOSFET的工作温度范围宽达-55°C至175°C，适用于各种严苛的工业和汽车电子环境。
　　PHB55N03LTT/R还内置了快速恢复二极管，提高了开关性能，并减少了开关损耗。其栅极电荷（Qg）较低，有助于降低驱动电路的复杂性和功耗，从而提升整体系统的效率和可靠性。
　　综上所述，PHB55N03LTT/R凭借其低导通电阻、高电流承载能力、优良的热管理和封装优势，在电源管理、电机控制、电池供电系统以及汽车电子等应用中具有广泛的适用性。

PHB55N03LTT/R广泛应用于各类需要高效功率控制的电子系统中。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电源管理系统、电机驱动器、电池充电和保护电路、工业控制设备以及车载电子系统。由于其高电流能力和低导通电阻，特别适用于需要高效率和紧凑设计的电源模块和嵌入式系统。

SiSS55N03LGE,T1GE、IRF55N03L、FDS55N03L