类型：GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　漏极电流（ID）：最大 500mA
　　漏源电压（VDS）：最大 65V
　　频率范围：1.8GHz 至 3.5GHz
　　输出功率（Pout）：典型值为 10W
　　增益：典型值 20dB
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

SE2442L-EK1 的核心优势在于其 GaN 技术带来的高功率密度和高效率。GaN 材料具有高电子迁移率和高饱和速度，使得该器件能够在高频下提供卓越的性能。SE2442L-EK1 的工作频率范围广泛，适用于多种射频应用，包括 5G 通信、Wi-Fi 6 和雷达系统。
　　该器件的封装采用表面贴装技术（SMD），有助于简化 PCB 设计并提高制造效率。此外，SE2442L-EK1 在高温环境下仍能保持稳定工作，具有良好的热稳定性和可靠性。其高增益特性（典型 20dB）和较高的输出功率（典型 10W）使其成为需要高线性度和高效率的射频放大器设计的理想选择。
　　该器件还具有高击穿电压和低导通电阻的特点，能够在高压环境下稳定运行，并减少功率损耗。SE2442L-EK1 的设计还优化了输入和输出匹配网络，使得在宽频率范围内保持良好的阻抗匹配成为可能，从而提高系统的整体性能。

SE2442L-EK1 主要用于各种高频射频系统中，包括 5G 基站、Wi-Fi 6 接入点、雷达系统、无线基础设施和测试设备。它适用于需要高输出功率和高效率的宽带射频放大器设计。在 5G 应用中，该器件可以作为基站的功率放大器，为用户提供更高的数据传输速率和更稳定的连接性能。此外，SE2442L-EK1 也可用于工业、科研和通信设备中的射频功率放大模块设计。

Qorvo 的 TGF2951、Cree/Wolfspeed 的 CGH40010F、NXP 的 MRFE6VP61K25H