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PESD1USB3B 发布时间 时间:2025/6/27 3:54:52 查看 阅读:4

PESD1USB3B是一款用于保护高速数据线免受静电放电(ESD)损害的保护二极管阵列。该器件采用DFN1006-2封装形式,具有非常低的电容特性,适合于高速接口如USB3.0、HDMI等应用环境。
  该元器件能够在纳秒级的时间内响应并抑制高达±30kV的接触放电和±30kV的空气放电,从而有效地保护敏感的电子电路不受ESD冲击的影响。

参数

工作电压:5V
  峰值脉冲电流:7A
  最大击穿电压:8V
  寄生电容:0.4pF
  响应时间:<1ns
  封装形式:DFN1006-2

特性

PESD1USB3B具有超低电容设计,确保对高速信号的最小干扰。
  其高能承受能力能够满足IEC61000-4-2国际标准中对于ESD防护的要求。
  器件的微型化封装使其非常适合空间受限的应用场合。
  双向对称结构允许正负极性信号线均可得到同样的保护效果。

应用

PESD1USB3B广泛应用于各种消费类电子产品中的高速数据接口保护,包括但不限于:
  - USB3.0接口
  - HDMI接口
  - DisplayPort接口
  - 高速无线通信模块
  - 智能手机和平板电脑的数据线保护
  - 工业控制设备中的高速通信链路保护

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