FDS6982AS-NL 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,由 Fairchild Semiconductor(现为 ON Semiconductor)生产。该器件采用 DPAK 封装形式,适用于多种功率转换和开关应用。FDS6982AS-NL 的设计优化了导通电阻和开关性能,在高效率电源系统中表现出色。
该器件的工作电压范围高达 100V,能够承受较大的漏极电流,同时具备低导通电阻特性,有助于减少功率损耗并提升系统效率。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:34A
导通电阻(典型值):3.5mΩ
栅极电荷:70nC
输入电容:2850pF
工作结温范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:DPAK(TO-252)
FDS6982AS-NL 具有以下关键特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效降低传导损耗。
2. 高击穿电压,支持广泛的电压等级应用。
3. 快速开关速度,适合高频应用。
4. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的可靠性。
5. 良好的热稳定性,能够在极端温度范围内可靠运行。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代工业规范要求。
FDS6982AS-NL 广泛应用于需要高效功率管理的场景,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC 转换器的同步整流。
3. 电机驱动和逆变器电路。
4. 工业自动化设备中的负载开关。
5. 通信设备和消费类电子产品中的电源管理系统。
其出色的电气性能和热性能使其成为众多高功率密度设计的理想选择。
FDP5570N, IRF540N, STP75NF06