时间：2025/4/28 18:43:14
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R3119N080A-TR-FE 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，广泛应用于高频、高效率的电力电子转换场景。该器件采用了先进的封装工艺和低寄生电感设计，使其能够在高频开关条件下保持出色的性能表现。
其核心优势在于支持高达100V的工作电压范围，同时具备极低的导通电阻（Rds(on)），从而有效降低功耗并提高系统效率。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：12A
导通电阻（Rds(on)）：8mΩ
栅极电荷：45nC
输入电容：1200pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263-7
R3119N080A-TR-FE 拥有卓越的高频性能，得益于氮化镓材料的独特属性，可实现更快的开关速度和更低的能量损耗。此外，该器件还具有较高的热稳定性，在高温环境下依然能够维持稳定的电气特性。
它通过优化内部结构设计减少了寄生参数的影响，使得动态性能更加优异。同时，其紧凑的封装方式不仅便于安装，还能有效节省PCB空间，非常适合现代高密度电路设计需求。
另外，此款功率晶体管内置了多重保护机制，例如过流保护和短路耐受能力，从而提升了整体系统的可靠性与安全性。
该型号主要适用于各类高频DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、无线充电设备以及电机驱动控制器等场合。
在通信领域中，它可以作为射频功率放大器的一部分，为基站和其他无线传输装置提供高效的能源管理解决方案。
此外，由于其出色的效率表现，也常被用于电动汽车充电桩、太阳能逆变器以及其他需要高能效转换的工业级应用中。
R3119P080A-TR-FE
