容量：256Mb
　　数据总线宽度：16位
　　工作电压：2.3V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
　　时钟频率：最高可达166MHz
　　存储器类型：DRAM
　　刷新周期：64ms
　　访问时间：5.4ns

H26M52002CKRR具备多项高性能特性。首先，其256Mb的存储容量能够满足大多数嵌入式系统和高性能计算设备的需求。16位数据总线宽度提供了较高的数据传输速率，支持快速的数据读写操作。该芯片的工作电压范围较宽（2.3V至3.6V），使其在不同的电源环境下都能稳定运行。
　　此外，H26M52002CKRR的封装形式为TSOP，这种封装方式具有较小的体积和良好的电气性能，非常适合高密度电路板设计。其工作温度范围为-40°C至+85°C，确保了在工业级环境下的稳定性。
　　芯片支持的最大时钟频率为166MHz，能够提供高效的时序控制，降低访问延迟。同时，5.4ns的访问时间保证了快速的数据响应能力，适用于对实时性要求较高的应用场合。
　　H26M52002CKRR还支持自动刷新和自刷新功能，能够在不中断系统运行的情况下完成内存刷新操作，从而提高系统的可靠性和稳定性。

H26M52002CKRR广泛应用于多种电子设备和系统中。它常用于计算机主板、服务器、工业控制设备、通信设备以及嵌入式系统。例如，在网络路由器和交换机中，该芯片可以作为高速缓存存储器，用于临时存储和转发数据包；在工业自动化控制系统中，它可以用于存储实时数据和程序代码；在多媒体设备中，H26M52002CKRR能够提供快速的数据访问能力，满足高清视频和音频的处理需求。

IS42S16256A ISSI
　　MT48LC16M2A2B4-6A Micron
　　CY7C1041GN30 Cypress