FMH11N90E 时间：2025/8/9 20:17:04 阅读：34

FMH11N90E是一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电压和高功率应用设计。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好的热性能，适用于各种工业和电力电子设备。FMH11N90E采用TO-220封装，适合需要高可靠性和高效率的场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：11A
　　最大漏源电压：900V
　　导通电阻：0.65Ω
　　栅极电压范围：±30V
　　功率耗散：150W
　　工作温度范围：-55°C至150°C

特性

FMH11N90E功率MOSFET具备多项优异特性。其高耐压能力（900V）使其适用于高电压环境，例如电源转换器和电机控制电路。低导通电阻（0.65Ω）减少了导通损耗，提高了系统效率。
　　此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高功率下稳定运行，适用于高温环境。TO-220封装形式提供了良好的散热性能，并确保机械强度和电气绝缘性。
　　FMH11N90E还具备快速开关特性，适合用于高频应用，如DC-DC转换器和PWM控制电路。其栅极电压范围较宽（±30V），允许灵活的驱动设计。

应用

FMH11N90E广泛应用于电力电子领域。常见用途包括开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、电池充电器和工业自动化设备。该器件的高耐压和低导通电阻特性使其适合用于高功率转换和控制电路。
　　在消费电子领域，FMH11N90E可用于LED照明驱动器和家电控制电路。此外，它还可用于新能源设备，如太阳能逆变器和风力发电系统，提供高效的电力转换解决方案。