时间：2025/8/6 12:54:47
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IXKH47N60C是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高电流的应用场合。该器件采用TO-247封装形式，具备较高的热稳定性和电气性能，适用于各种工业级电力电子设备。IXKH47N60C的漏源电压（VDS）为600V，连续漏极电流（ID）为47A，属于N沟道增强型功率MOSFET。
型号：IXKH47N60C
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS)：600V
连续漏极电流(ID)：47A
栅源电压(VGS)：±20V
最大功耗(PD)：300W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-247
导通电阻(RDS(on))：典型值为0.15Ω
栅极电荷(Qg)：160nC
输入电容(Ciss)：1900pF
IXKH47N60C具备优异的电气性能和可靠性，其主要特性包括：
首先，它具有较高的漏源击穿电压（600V），能够承受高电压环境下的工作压力，适用于开关电源、逆变器、马达控制等高压应用。
其次，该MOSFET的最大连续漏极电流为47A，能够在大电流条件下稳定工作，满足高功率需求。
此外，该器件的导通电阻较低（典型值为0.15Ω），有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。
为了提高其在复杂电气环境下的稳定性，IXKH47N60C的栅源电压容限为±20V，具备良好的抗过压能力。
在热管理方面，该器件的封装形式为TO-247，具有较好的散热性能，并能够在-55°C至150°C的宽温度范围内正常工作，适用于严苛的工业环境。
另外，该MOSFET的开关速度较快，适合用于高频开关应用，从而减小外围电路的体积并提升整体系统性能。
IXKH47N60C广泛应用于各种高功率电子设备中，特别是在需要高电压和高电流处理能力的场合。例如，在开关电源（SMPS）中，该MOSFET可用于主功率开关，提供高效的电能转换；在逆变器系统中，如太阳能逆变器或不间断电源（UPS），IXKH47N60C可以作为关键的功率转换元件，实现直流到交流的高效转换。
此外，该器件还适用于电机控制和驱动系统，如工业自动化设备中的变频器和伺服驱动器，用于控制电机的转速和扭矩。
在电焊机、感应加热设备等高功率应用中，IXKH47N60C同样表现出色，能够承受瞬态过载并保持稳定运行。
同时，由于其良好的开关特性和热稳定性，该MOSFET也可用于高频谐振变换器、LED照明驱动器等应用中，提升系统效率和可靠性。
在汽车电子领域，如电动汽车的充电系统或车载逆变器中，IXKH47N60C也可作为核心功率器件使用。
STP47N60DM2AG-1, IRFPG50, FCP47N60S3, FQA47N60, SPW47N60C3
