时间：2025/12/24 2:23:25
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SE07N6S41GZ是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，专为高频和高功率应用设计。该器件采用了增强型GaN-on-Silicon技术，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提升系统能效并减少热量损耗。
该型号适用于高频率DC-DC转换器、图腾柱PFC、无线充电和其他电力电子应用，其出色的开关性能使其成为传统硅基MOSFET的理想替代方案。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：7A
导通电阻：41mΩ
栅极电荷：90nC
开关速度：超快
封装类型：TO-247
SE07N6S41GZ的核心特性包括高击穿电压和低导通电阻，这使得它在高频工作条件下表现出优异的热管理和效率提升能力。
其采用的增强型GaN技术确保了更低的开关损耗，并支持更高的开关频率，从而缩小无源元件尺寸并优化整体系统成本。
此外，该器件具备坚固的短路耐受能力和可靠的热稳定性，非常适合对性能要求较高的工业及消费类应用环境。
SE07N6S41GZ广泛应用于各种高性能电力转换场景，例如服务器电源、通信电源、电动汽车充电桩以及太阳能逆变器等。
由于其卓越的高频性能和高效率特点，也常用于消费类电子产品中的快速充电适配器和无线充电设备。
在这些应用中，该芯片通过减少能量损失和提高功率密度，帮助设计者实现更紧凑、更高效的电源解决方案。
SE08N6S45GZ
