时间：2025/12/29 13:49:43
阅读：25
IXTH15N50L2是一种功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由IXYS公司生产。该器件专为高电压、高电流应用设计，适用于电源转换、电机控制、逆变器和开关电源等领域。IXTH15N50L2采用TO-247封装，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，是一款性能优异的功率开关器件。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：500V
最大连续漏极电流(Id)：15A
导通电阻(Rds(on))：0.32Ω（最大）
栅极电荷(Qg)：60nC
最大功耗(Pd)：170W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-247
IXTH15N50L2的主要特性包括低导通电阻、高耐压能力和优异的开关性能。其导通电阻仅为0.32Ω，有助于降低导通损耗，提高电源效率。该器件的漏源耐压为500V，能够承受高电压应用中的严苛条件。此外，IXTH15N50L2具有快速开关能力，栅极电荷仅为60nC，可实现高频开关操作，减少开关损耗。
在热性能方面，IXTH15N50L2的封装设计确保了良好的散热性能，最大功耗为170W，可在高温环境下稳定运行。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种恶劣工作环境。该器件还具备较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下提供可靠的保护。
IXTH15N50L2广泛应用于各种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动器、逆变器、UPS系统和电池充电器等。在开关电源中，该器件可用于主开关或同步整流器，以提高转换效率。在电机控制应用中，IXTH15N50L2可用作H桥结构中的功率开关，实现对电机转速和方向的精确控制。此外，该器件还可用于太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块，提供高效、稳定的电能转换。
STP15NK50Z, FQA16N50, IRFP460, IXTH16N50
