时间：2025/7/4 5:55:19
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R3112N171A-TR-F 是一款由 ROHM（罗姆）生产的低功耗 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET。该器件采用了小型封装设计，适合于需要高效能和节省空间的应用场景。其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合用作负载开关、电源管理电路以及电池供电设备中的功率控制元件。
该型号支持的 Vgs 范围较宽，能够在较低的栅极驱动电压下实现完全导通，同时具备出色的温度稳定性和可靠性。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：1.8A
导通电阻（典型值，Vgs=4.5V）：0.09Ω
导通电阻（最大值，Vgs=4.5V）：0.11Ω
栅极电荷：3.6nC
总电容：220pF
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：SOT-23
R3112N171A-TR-F 的主要特点是低导通电阻和高效率。在典型的工作条件下，它能够提供极低的导通损耗，从而提升整体系统的能量利用率。
此外，该器件具有非常小的外形尺寸，便于集成到紧凑型设计中。由于其支持低至 2.5V 的栅极驱动电压，因此非常适合锂离子电池供电的便携式电子设备。
R3112N171A-TR-F 还具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的性能输出，同时其封装材料具有优异的耐热性和抗湿性，进一步提升了器件的可靠性和耐用性。
这款 MOSFET 广泛应用于各种消费类电子产品和工业领域，包括但不限于以下场景：
1. 移动设备中的负载开关和电源管理
2. 可穿戴设备的电池保护电路
3. 小型 DC/DC 转换器中的同步整流
4. 便携式医疗设备中的功率控制
5. 工业传感器及自动化设备中的信号切换
其卓越的性能和灵活性使其成为许多现代电子系统的核心组件。
R3102N171A-TR-F, R3112P171A-TR-F
