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SIZ340DT-T1-GE3 发布时间 时间:2025/4/30 18:18:53 查看 阅读:16

SIZ340DT-T1-GE3是一种基于硅材料的高性能整流二极管,广泛应用于电源电路中。该器件属于大功率整流二极管系列,适用于高电流和高电压环境下的整流任务。其封装形式为TO-220,具有良好的散热性能和稳定性。该型号中的‘SIZ’表示产品系列,‘340’表示额定参数信息,而‘DT-T1-GE3’则是附加特性及版本号。

参数

最大反向电压:600V
  最大正向电流:3A
  正向压降:1.1V(典型值,在25℃下测量)
  反向漏电流:5μA(最大值,在25℃下测量)
  结温范围:-55℃至+175℃
  存储温度范围:-55℃至+150℃
  热阻:2°C/W

特性

SIZ340DT-T1-GE3采用了平面工艺制造技术,具备低反向漏电流、高浪涌能力以及快速恢复时间等优点。
  1. 具有较低的正向压降,从而减少了导通损耗,提高了效率。
  2. 高耐压能力,可承受高达600V的反向电压。
  3. 良好的热稳定性,使其能够在高温环境下长时间运行。
  4. 封装形式为标准TO-220,便于安装和散热设计。
  5. 可靠性高,适用于工业级和商业级应用。

应用

该二极管适用于多种领域,包括但不限于开关电源、电机驱动器、逆变器、不间断电源(UPS)系统、电池充电器以及其他需要整流功能的电子设备。由于其高电流处理能力和较高的反向电压等级,它非常适合用于高功率直流电源转换电路中。

替代型号

SIZ340BT, SIZ340CT, BYW29-600

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SIZ340DT-T1-GE3产品

SIZ340DT-T1-GE3参数

  • 现有数量5,425现货
  • 价格1 : ¥7.31000剪切带(CT)3,000 : ¥3.10857卷带(TR)
  • 系列PowerPAIR?, TrenchFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 个 N 通道(半桥)
  • FET 功能-
  • 漏源电压(Vdss)30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)30A,40A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)9.5 毫欧 @ 15.6A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)19nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)760pF @ 15V
  • 功率 - 最大值16.7W,31W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-PowerWDFN
  • 供应商器件封装8-Power33(3x3)