时间：2025/5/19 18:28:12
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R3111N272C-TR-FE 是一款高性能的表面贴装型陶瓷电容器，具有低等效串联电阻 (ESR) 和低感应特性 (ESL)，适用于高频和射频电路。该电容器采用多层陶瓷技术制造，能够提供稳定的电容值和优异的频率响应特性，适合在电源滤波、信号耦合以及噪声抑制等应用中使用。
这种型号属于 Class II 型介电材料（通常为 X7R 或者 C0G 类型），具有良好的温度稳定性和抗老化性能。其封装形式紧凑，便于在高密度 PCB 板上进行安装。
额定电压：50V
电容值：22pF
公差：±5%
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
封装类型：0402
直流偏压特性：符合数据手册标准
尺寸：1.0mm x 0.5mm
ESR（典型值）：≤10mΩ
DF（耗散因数）：≤1%（1MHz 下测量）
R3111N272C-TR-FE 的主要特点是其超小尺寸设计，非常适合用于空间受限的应用环境。此外，它具备出色的高频性能，在高频条件下仍能保持较低的阻抗，从而有效降低信号失真并提高系统整体性能。
该元件采用了先进的陶瓷材料工艺，确保了在各种温度变化条件下的稳定性。同时，由于其低 ESR 和 ESL 特性，使得该电容器成为高速数字电路中的理想选择。
R3111N272C-TR-FE 还支持无铅焊接工艺，满足 RoHS 标准要求，对环境友好。
这款电容器广泛应用于无线通信设备、智能手机、平板电脑以及其他便携式电子产品的射频前端模块中。具体包括：
1. 滤波器网络中的关键组件，用以消除不必要的干扰信号。
2. 在功率放大器输出级作为匹配网络的一部分。
3. 数字电路中的去耦作用，减少电源波动对敏感电路的影响。
4. 射频收发信机中的信号耦合与隔离功能。
5. 高速数据传输链路中的终端匹配，改善信号完整性。
R3111N272C-TR-EK
R3111N272C-TR-JT
R3111N272C-TR-LE
