容量：128MB
　　数据宽度：16位
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　工作电压：3.3V
　　时钟频率：166MHz
　　访问时间：8ns
　　内存类型：DRAM（SDRAM）
　　行地址位数：A0-A12
　　列地址位数：A0-A8
　　刷新周期：64ms
　　工作温度范围：0°C至70°C

HY57V283220TP-8 是一款高性能的同步动态随机存取存储器（SDRAM），具备出色的稳定性和兼容性。该芯片采用了先进的CMOS技术，具有较低的功耗和较高的抗干扰能力，适合在复杂电磁环境中使用。此外，其TSOP封装形式有助于减小PCB板的空间占用，提高设备的集成度。
　　这款SDRAM芯片支持突发模式（Burst Mode）和自动刷新（Auto Refresh）功能，有助于提高数据访问效率并保持数据完整性。突发模式可以连续读取或写入多个存储单元，从而减少地址切换的开销；而自动刷新功能则可确保数据在不丢失的情况下维持较长时间。
　　HY57V283220TP-8 还具备良好的温度适应性，能够在0°C至70°C的温度范围内正常工作，适用于大多数工业级和商业级应用环境。此外，该芯片的访问时间仅为8ns，支持高速数据传输，能够满足高性能系统对内存速度的需求。

HY57V283220TP-8 广泛应用于需要高速、大容量数据存储的设备中。常见的应用包括：
　　1. 个人电脑与工作站：作为主内存模块（如SIMM或DIMM）的一部分，提供临时数据存储和快速访问。
　　2. 网络设备：在路由器、交换机等网络设备中用于缓存和转发数据包。
　　3. 嵌入式系统：用于工业控制、自动化设备和智能家电等嵌入式系统中，提供可靠的内存支持。
　　4. 视频处理设备：在视频采集、编码和解码设备中，用于存储视频帧和中间处理数据。
　　5. 通信设备：在基站、无线接入点等通信设备中用于缓存和处理通信数据。
　　由于其高性能和广泛兼容性，HY57V283220TP-8 成为许多传统和现代电子系统中的理想选择。

HY57V283220FTP-8, HY57V283220BTC-8