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IPP180N10N3G 发布时间 时间:2025/7/1 23:14:13 查看 阅读:9

IPP180N10N3G 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 河道功率 MOSFET。该器件采用沟槽式技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特性,广泛应用于各种高效能电源转换和电机驱动场景。
  该芯片封装为 TO-247-3,适用于需要高电流处理能力的工业和汽车应用环境。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:180A
  导通电阻(典型值):2.6mΩ
  栅极电荷(典型值):150nC
  开关时间:开通延迟时间 38ns,关断传播时间 21ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

IPP180N10N3G 具有非常低的导通电阻,使其在高电流应用中表现出色。其沟槽式 MOSFET 技术显著减少了能量损耗,并提高了整体效率。
  此器件还具备快速开关能力,能够支持高频操作,同时保持较低的开关损耗。此外,它具有出色的热稳定性和坚固的设计,适合恶劣的工作环境。
  由于其卓越的性能,IPP180N10N3G 成为了许多高功率密度设计中的首选元件,例如太阳能逆变器、不间断电源 (UPS) 和电动汽车牵引逆变器等。

应用

该 MOSFET 广泛用于多种电力电子应用,包括但不限于:
  - DC-DC 转换器
  - 电机驱动电路
  - 太阳能逆变器
  - 不间断电源 (UPS)
  - 电动汽车动力系统
  - 工业自动化设备
  这些应用都依赖 IPP180N10N3G 的高效率和可靠性来实现高性能和长寿命。

替代型号

IPP150N10S3, IRFP260N, FDP187AN

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