时间：2025/7/1 23:14:13
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IPP180N10N3G 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 河道功率 MOSFET。该器件采用沟槽式技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特性，广泛应用于各种高效能电源转换和电机驱动场景。
该芯片封装为 TO-247-3，适用于需要高电流处理能力的工业和汽车应用环境。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：180A
导通电阻（典型值）：2.6mΩ
栅极电荷（典型值）：150nC
开关时间：开通延迟时间 38ns，关断传播时间 21ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
IPP180N10N3G 具有非常低的导通电阻，使其在高电流应用中表现出色。其沟槽式 MOSFET 技术显著减少了能量损耗，并提高了整体效率。
此器件还具备快速开关能力，能够支持高频操作，同时保持较低的开关损耗。此外，它具有出色的热稳定性和坚固的设计，适合恶劣的工作环境。
由于其卓越的性能，IPP180N10N3G 成为了许多高功率密度设计中的首选元件，例如太阳能逆变器、不间断电源 (UPS) 和电动汽车牵引逆变器等。
该 MOSFET 广泛用于多种电力电子应用，包括但不限于：
- DC-DC 转换器
- 电机驱动电路
- 太阳能逆变器
- 不间断电源 (UPS)
- 电动汽车动力系统
- 工业自动化设备
这些应用都依赖 IPP180N10N3G 的高效率和可靠性来实现高性能和长寿命。
IPP150N10S3, IRFP260N, FDP187AN
