类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：30V
　　最大漏极电流（ID）：16A
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.15Ω（典型值）
　　功耗（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-3

2N3029 具有良好的导通特性和较低的导通损耗，使其在高功率应用中表现出色。其低导通电阻（RDS(on)）确保在高电流下仍能保持较低的电压降，从而减少发热，提高效率。
　　该MOSFET具备较高的耐压能力（100V），适合多种电源转换电路，如DC-DC转换器、AC-DC整流器和电池管理系统。同时，其金属TO-3封装有助于散热，增强器件在高功率条件下的稳定性。
　　2N3029 还具备较强的抗过载能力，在短时间内的电流冲击下仍能保持正常工作，适用于需要可靠性的工业控制和汽车电子系统。
　　此外，2N3029 的栅极驱动电压范围较宽，通常在10V至20V之间可实现良好的导通状态，便于与多种驱动电路配合使用。

2N3029 常用于各类功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC变换器、电机控制器、逆变器、LED驱动电源、音频功率放大器以及工业自动化设备中的功率开关电路。
　　由于其高耐压和大电流特性，2N3029 也广泛应用于电池管理系统（BMS）和不间断电源（UPS）中，作为主开关或负载开关使用。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电动工具、车灯控制模块等需要高可靠性和高效率的电路中。
　　此外，2N3029 也常用于实验开发和原型设计中，作为功率开关的首选器件之一。

IRF540, IRFZ44N, 2N3055, BUZ11, FDP3030