型号：R2221L-E2
　　通道类型：N沟道
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：5.7A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：22A
　　导通电阻(RDS(on))：24mΩ @ VGS=10V, 5.7A
　　导通电阻(RDS(on))：30mΩ @ VGS=4.5V, 5.7A
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容(Ciss)：400pF @ VDS=15V
　　输出电容(Coss)：180pF @ VDS=15V
　　反向传输电容(Crss)：40pF @ VDS=15V
　　栅极电荷(Qg)：8nC @ VGS=10V
　　开启延迟时间(Td(on))：10ns
　　上升时间(Tr)：25ns
　　关断延迟时间(Td(off))：20ns
　　下降时间(Tf)：15ns
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：WPAK (HSOP-8)
　　安装类型：表面贴装

R2221L-E2具备优异的电气性能和热稳定性，是专为高效开关应用设计的N沟道MOSFET。其核心特性之一是低导通电阻（RDS(on)），在VGS=10V时仅为24mΩ，在VGS=4.5V时也仅达到30mΩ，这一特性显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。这对于电池供电设备尤为重要，有助于延长续航时间。同时，低RDS(on)意味着在相同电流下产生的热量更少，从而减少了散热设计的复杂性。
　　另一个关键特性是其优化的栅极电荷（Qg）和电容参数。总栅极电荷仅为8nC（@VGS=10V），输入电容（Ciss）为400pF，这些参数保证了器件可以被快速驱动，实现高速开关操作。低Crss（40pF）进一步增强了器件的抗噪声能力，减少了米勒效应引起的误触发风险，提升了在高频开关环境下的稳定性。这对于DC-DC转换器等高频应用场景至关重要。
　　该器件还具备良好的热性能，采用WPAK（HSOP-8）封装，具有较大的裸露焊盘以增强散热能力，使结到外壳的热阻（Rth(j-c)）保持在较低水平。这使得即使在高负载条件下，芯片也能维持较低的工作温度，延长使用寿命。此外，R2221L-E2支持高达5.7A的连续漏极电流和22A的脉冲电流，具备较强的过载承受能力。
　　阈值电压范围为1.0V至2.0V，使其兼容3.3V和5V逻辑电平驱动信号，便于与各种控制器（如PWM控制器或微处理器GPIO）直接接口。宽泛的工作结温范围（-55℃至+150℃）确保了在极端环境下的可靠运行，适用于工业级和汽车级应用。
　　最后，R2221L-E2符合RoHS和无铅要求，支持绿色制造工艺。其封装尺寸小巧，有利于PCB布局优化和自动化贴片生产，适用于大规模量产。综合来看，该器件在性能、可靠性与成本之间实现了良好平衡，是中小功率电源管理应用的理想选择。

R2221L-E2广泛应用于多种需要高效开关控制的电子系统中。典型应用包括同步整流型DC-DC降压转换器，其中作为下管或上管MOSFET使用，利用其低导通电阻和快速开关特性来提高转换效率，减少能量损耗。在负载开关电路中，该器件用于控制电源路径的通断，实现对不同功能模块的上电时序管理或节能待机控制，常见于笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式设备中。
　　此外，R2221L-E2也适用于电池管理系统（BMS），用于电池充放电回路的通断控制或短路保护。其高电流承载能力和稳定的电气特性确保了电池供电系统的安全与可靠。在电机驱动电路中，可作为低端开关用于小型直流电机或步进电机的控制，尤其适合对体积和效率有严格要求的应用场景。
　　该器件还可用于LED背光驱动、热插拔控制器、电源多路复用器以及各类电源管理单元（PMU）中。由于其支持逻辑电平驱动，能与MCU或专用电源管理IC无缝配合，因此在嵌入式系统和物联网设备中也十分常见。工业控制设备、网络通信模块以及消费类电子产品中的电源模块同样是其主要应用领域。
　　得益于其小型化封装和高可靠性，R2221L-E2特别适合用于高密度组装的主板、电源适配器、USB PD充电器和无线充电模块中。在汽车电子方面，可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统或辅助电源系统，只要工作条件在其额定范围内即可稳定运行。总体而言，凡是对效率、尺寸和可靠性有较高要求的低压大电流开关场合，R2221L-E2均表现出色。

R2221N-E2
　　DMG2221UHK-7
　　SI2301-ADJ
　　AO3400